Rohm品牌RGW00TS65HRC11半导体IGBT TRNCH FIELD 650V 96A TO247N的技术和方案介绍

Rohm品牌RGW00TS65HRC11半导体IGBT TRNCH FIELD 650V 96A TO247N技术与应用方案 RGW00TS65HRC11是一款高性能的半导体IGBT，采用了TO247N封装，具有650V和96A的额定电压和电流。该器件采用了TRNCH FIELD技术，具有更高的开关速度和更低的功耗。 技术特点： 1. 650V和96A的额定电压和电流，适用于大功率应用场景。 2. 采用TO247N封装，具有高散热性能和可靠性。 3. 采用了TRNCH FIELD技术，使得开关

Rohm品牌RGWSX2TS65GC13半导体IGBT TRENCH FLD 650V 104A TO247G的技术和方案介绍

标题：Rohm品牌RGWSX2TS65GC13半导体IGBT TRENCH FLD 650V 104A TO247G的技术与方案介绍 Rohm品牌RGWSX2TS65GC13半导体IGBT，采用TRENCH FLD技术，具有650V 104A的强大规格，适用于各种电子设备中。该产品采用了TO247G封装，具有高可靠性、高效率、低噪音等特点，适用于各种工业和商业应用场景。 技术特点： 1. 采用TRENCH FLD技术，具有更高的开关速度和更低的导通电阻，从而提高了产品的性能和效率。 2. 65

Rohm品牌RGTH00TK65GC11半导体IGBT TRNCH FIELD 650V 35A TO3PFM的技术和方案介绍

Rohm RGTH00TK65GC11半导体IGBT TRNCH FIELD 650V 35A TO3PFM：技术解析与方案指南 Rohm RGTH00TK65GC11半导体IGBT是一种功率半导体器件，广泛应用于各种电子设备中，如变频器、电机驱动器、电源转换器等。该器件采用TO3P-FM封装，具有高耐压、大电流、低损耗等特性，适用于各种高效率、高功率的电子设备。 技术特点： 1. 该器件采用TO3P-FM封装，具有高散热性能，可有效降低工作温度，提高器件的可靠性。 2. 采用先进的工艺技术，

Rohm品牌RGW60TS65DHRC11半导体IGBT TRNCH FIELD 650V 64A TO247N的技术和方案介绍

RGW60TS65DHRC11是一款高性能的半导体IGBT，采用TO247N封装，适用于各种电子设备中。该芯片采用Rohm品牌的高质量材料制造，具有出色的性能和可靠性。 技术特点： 1. 芯片采用650V耐压，能够承受较大的电压和电流，适用于各种高电压、大电流的应用场景。 2. 芯片的电流容量为64A，可以满足大多数电子设备的电流需求。 3. 芯片采用TO247N封装，具有较小的体积和较高的热导率，有利于提高散热效率。 4. 芯片采用高速开关特性，响应速度快，有利于提高电子设备的效率。 应用方

Rohm品牌RGW60TK65DGVC11半导体IGBT TRNCH FIELD 650V 33A TO3PFM的技术和方案介绍

RGW60TK65DGVC11是Rohm公司的一款高性能半导体IGBT，适用于各种电子设备，如逆变器、电源模块等。该器件采用TO3P封装，具有高可靠性、高耐压、高电流容量等特点。 技术特点： 1. 650V 33A的额定参数，适用于需要大电流和高电压应用的逆变器和电源模块。 2. 采用TO3P封装，具有高可靠性和散热性能，适用于高温和恶劣环境。 3. 采用了TRNCH FIELD技术，提高了开关速度和效率，降低了损耗。 应用方案： 1. 逆变器：RGW60TK65DGVC11可以用于中大功率的

Rohm品牌RGTH00TS65DGC13半导体IGBT TRNCH FIELD 650V 85A TO247G的技术和方案介绍

Rohm品牌RGTH00TS65DGC13半导体IGBT TRNCH FIELD 650V 85A TO247G技术与应用方案 RGTH00TS65DGC13是一款高性能的半导体IGBT，采用TO247G封装，具有650V和85A的额定电流。该器件采用了Rohm公司独特的TRNCH FIELD技术，具有更高的开关频率和更低的功耗。 技术特点： 1. 650V额定电压，85A额定电流 2. 采用TO247G封装，易于安装 3. 采用TRNCH FIELD技术，具有更高的开关频率和更低的功耗 4.

Rohm品牌RGW80TK65DGVC11半导体IGBT TRNCH FIELD 650V 39A TO3PFM的技术和方案介绍

RGW80TK65DGVC11是Rohm品牌的一款高性能半导体IGBT，适用于各种电子设备，如电源转换器、电机驱动器、加热器和照明系统等。 该IGBT采用了TRNCH FIELD技术，具有更高的效率和更低的功耗。其工作电压为650V，最大电流为39A，使其适用于各种中高压应用场景。此外，该器件还具有快速开关特性，使得在切换时产生的电磁干扰降至最低。 TO3PFM封装形式使得该器件具有高可靠性、易于安装和散热性能良好的特点。这种封装形式还提供了良好的热导率和较低的热膨胀系数，确保了器件在高温和低

Rohm品牌RGS80TS65HRC11半导体IGBT TRNCH FIELD 650V 73A TO247N的技术和方案介绍

标题：Rohm RGS80TS65HRC11半导体IGBT TRNCH FIELD 650V 73A TO247N的技术与方案介绍 Rohm RGS80TS65HRC11半导体IGBT是一种高性能的功率半导体，适用于各种电子设备，如逆变器、变频器、电机驱动器等。该器件采用TO247N封装，具有高耐压、大电流、低损耗等特点，适用于650V等级的电源系统。 技术特点： 1. 芯片采用TO-252封装，具有高可靠性、高耐压、大电流等特点。 2. 采用独特的TRNCH FIELD技术，提高了器件的开关

Rohm品牌RGW80TS65DGC11半导体IGBT TRNCH FIELD 650V 78A TO247N的技术和方案介绍

标题：Rohm品牌RGW80TS65DGC11半导体IGBT TRNCH FIELD 650V 78A TO247N技术与应用方案介绍 Rohm品牌RGW80TS65DGC11半导体IGBT TRNCH FIELD 650V 78A TO247N是一款高性能的半导体器件，适用于各种电子设备中。该器件采用TO-247-N封装形式，具有高耐压、大电流、低损耗等特点，适用于各种工业应用和高功率电子设备中。 技术特点： 1. 该器件采用TO-247-N封装形式，具有高耐压、大电流、低损耗等特点，适用于

Rohm品牌RGWX5TS65DHRC11半导体IGBT TRENCH FLD 650V 132A TO247N的技术和方案介绍

RGWX5TS65DHRC11是Rohm公司推出的一款高性能半导体IGBT，采用TRENCH FLD工艺技术，具有650V 132A的规格，适用于各种电子设备，如电源、电机控制、变频器等。 技术特点： 1. 高压性能：650V的电压规格能够满足大多数应用场景的需求，提高系统的稳定性和可靠性。 2. 快速开关：采用FLD工艺技术，使得IGBT具有更快的开关速度，降低了功耗和系统发热。 3. 热稳定性：采用TO247N封装形式，具有优良的热稳定性，能够适应高温和高湿度工作环境。 应用方案： 1.

Rohm品牌RGTV80TS65DGC11半导体IGBT TRNCH FIELD 650V 78A TO247N的技术和方案介绍

Rohm品牌RGTV80TS65DGC11半导体IGBT TRNCH FIELD 650V 78A TO247N技术介绍 RGTV80TS65DGC11是一款高性能的半导体IGBT，采用TO247N封装，适用于各种电子设备中。该芯片采用TRNCH FIELD技术，具有高耐压、大电流、低损耗等特点，适用于高频率、高效率的电源转换系统。 该芯片的主要技术参数为650V、78A的额定电压和电流，适用于需要高效、节能的电子设备中。其工作温度范围为-40℃至+150℃，具有良好的温度稳定性，可以满足各种

Rohm品牌RGWS00TS65DGC13半导体IGBT TRNCH FIELD 650V 88A TO247G的技术和方案介绍

标题：Rohm品牌RGWS00TS65DGC13半导体IGBT TRNCH FIELD 650V 88A TO247G的技术与方案介绍 Rohm品牌RGWS00TS65DGC13半导体IGBT TRNCH FIELD 650V 88A TO247G是一款高性能的半导体器件，具有出色的性能和可靠性。该器件采用TO247G封装，具有较高的650V和88A的额定值，适用于各种高电压、大电流应用场景。 技术特点： 1. 该器件采用先进的工艺技术，具有高开关速度和低损耗的特点，适用于各种开关电路和高频电