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2024-11
IXYS品牌IXYH50N120C3D1半导体IGBT 1200V 90A 625W TO247的技术和方案介绍
标题：IXYS品牌IXYH50N120C3D1半导体IGBT 1200V 90A 625W TO247的技术和方案介绍 一、技术特点 IXYS品牌的IXYH50N120C3D1是一款高性能的半导体IGBT，其工作电压高达1200V，电流容量为90A，最大功率为625W。该器件采用了TO247封装形式，具有体积小、重量轻、散热性能好等特点。 二、技术参数 该器件的主要技术参数包括：额定电压为1200V，额定电流为90A，最大漏极功率为625W，工作温度范围为-40℃至+150℃。此外，该器件还具
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05
2024-11
IXYS品牌IXYH10N170C半导体IGBT 1.7KV 36A TO247的技术和方案介绍
一、技术特点 IXYS IXYH10N170C是一款高性能的半导体IGBT，具有以下技术特点： 1. 电压等级：该器件支持1.7KV的电压，适用于各种高电压应用场景。 2. 电流容量：最大电流达到36A，能够满足大功率输出需求。 3. 封装形式：TO247封装形式，具有较高的热导率和良好的电性能。 4. 开关速度：该器件具有较快的开关速度，能够实现高效节能。 二、应用方案 该器件适用于各种需要大功率输出的应用场景，如电力电子、工业控制、新能源等领域。以下是一些典型应用方案： 1. 逆变器：在光
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2024-11
IXYS品牌IXGR48N60C3D1半导体IGBT 600V 56A 125W ISOPLUS247的技术和方案介绍
IXYS的IXGR48N60C3D1是一款高性能的半导体IGBT，适用于各种电子设备中。该器件采用600V，具有56A的电流容量和125W的功率输出。其ISOPLUS247的封装设计提供了良好的热导率和稳定性。 技术特点： * 600V的电压平台提供了足够的电力支持，适用于大多数电子设备。 * 56A的电流容量使得该器件能够承受更高的电流负荷，提高了设备的性能。 * 125W的功率输出使得该器件在高温环境下仍能保持稳定的工作状态。 * ISOPLUS247的封装设计提供了良好的热导率，提高了器
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2024-11
IXYS品牌IXXH80N65B4半导体IGBT 650V 160A 625W TO247AD的技术和方案介绍
IXYS的IXXH80N65B4半导体IGBT是一款适用于各种电子设备的功率半导体元件。它具有650V的额定电压，高达160A的额定电流，以及625W的额定功率。这款元件采用TO247AD封装，具有高效率，高可靠性，低成本等特点。 技术特点： 1. 650V 625W IGBT模块，采用先进的工艺制造，具有高开关速度和低损耗的特点。 2. 封装为TO247AD，具有良好的热传导性能，适用于高功率和高电压应用。 3. 内置的过温保护电路，保证了元件在异常工作条件下的安全。 应用方案： 1. 电源
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2024-11
IXYS品牌IXGA30N120B3半导体IGBT 1200V 60A 300W TO263的技术和方案介绍
一、技术特点 IXGA30N120B3是一款高性能的1200V 60A 300W IGBT模块，采用TO263封装。其主要技术特点包括： 1. 高压大电流设计，适用于中大功率电源系统； 2. 快速导通和关断特性，有助于提高系统效率； 3. 优异的热性能和可靠性，长期工作温度更低； 4. 集成度高，减少了外部元器件数量，降低了成本。 二、应用方案 该IGBT模块适用于各类中大功率电源系统，如UPS电源、变频器、风力发电、太阳能等领域。以下是一些典型应用方案： 1. UPS电源：可将UPS电源的逆
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2024-10
IR品牌IRGB4715DPBF半导体IGBT WITH RECOVERY DIODE的技术和方案介绍
标题：IR品牌IRGB4715DPBF半导体IGBT WITH RECOVERY DIODE的技术与方案介绍 IRGB4715DPBF是一款高性能的半导体IGBT，采用IR品牌特有的技术，结合恢复二极管，实现了出色的性能和可靠性。 一、技术特点 IRGB4715DPBF采用先进的IGBT技术，具有高开关速度、低损耗、高效率等特点。同时，它还配备了恢复二极管，可在逆变器应用中实现无损换向，大大提高了系统的稳定性和效率。此外，该器件还具有高输入阻抗和低导通压降，使得能量损失更小，从而提高了整体系统
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2024-10
IR品牌IRGS4B60KD1TRRP半导体IGBT 11A, 600V, N CHANNEL的技术和方案介绍
标题：IR品牌IRGS4B60KD1TRRP半导体IGBT 11A，600V，N CHANNEL的技术和方案介绍 IR品牌IRGS4B60KD1TRRP是一款高性能的半导体IGBT，具有11A的电流容量和600V的额定电压，适用于各种电子设备。该型号的IGBT采用了N通道技术，具有高效率、低损耗、高可靠性和易于驱动等优点。 技术特点： 1. 高频响应：该IGBT具有优秀的频率响应，能够适应各种高频应用场景，如逆变器、开关电源等。 2. 高效能：该IGBT具有较高的电流容量和较低的导通电阻，能够
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2024-10
IR品牌IRGB4059DPBF半导体IGBT, 8A I(C), 600V V(BR)CES, N-的技术和方案介绍
标题：IRGB4059DPBF半导体IGBT：8A I(C)，600V V(BR)CES，N-技术详解与方案介绍 IRGB4059DPBF是一款高性能的半导体IGBT，以其出色的性能和可靠性在电力电子应用中占据重要地位。这款器件具有8A的电流容量（I(C)），600V的电压基准（V(BR)CES），以及N-的技术特点。本文将深入解析其技术细节，并介绍相关的应用方案。 技术特点： 1. 8A I(C)：该器件的额定电流为8A，适用于需要较大电流的场合，如逆变器、电机驱动等。 2. 600V V(
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2024-10
IR品牌IRG4BC30KPBF半导体IGBT, 28A I(C), 600V V(BR)CES, N的技术和方案介绍
标题：IR品牌IRG4BC30KPBF半导体IGBT技术与应用方案介绍 IR品牌半导体IGBT，型号为IRG4BC30KPBF，是一款具有出色性能和广泛应用前景的功率半导体器件。该器件具有28A的电流容量（I(C)），适用于中到大功率的开关应用。其电压规格为600V，对于需要高电压转换的应用场景，具有显著优势。 技术特点： 1. V(BR)CES参数代表电压临界导通电阻，该值越低，表明器件的开关损耗越小，性能更优越。 2. N型半导体结构，使得器件具有更高的载流能力，适用于需要大电流的场合。
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2024-10
IR品牌IRG4BC20SD-SPBF半导体IGBT, 19A I(C), 600V V(BR)CES, N的技术和方案介绍
标题：IR品牌IRG4BC20SD-SPBF半导体IGBT技术与应用方案介绍 IR品牌半导体IGBT，型号为IRG4BC20SD-SPBF，是一款适用于电力电子应用的高性能功率半导体。该器件具有出色的电气性能和可靠性，广泛应用于各种电子设备中。 技术特点： 1. 额定电流：19A，适合于中大功率应用； 2. 电压规格：600V，满足多种电压需求； 3. 耐压能力：V(BR)CES，保证在高压环境下稳定工作； 4. 开关速度：快速响应，适用于高频化应用； 5. 温度范围：宽广，适应各种环境温度。
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2024-10
IR品牌IRG4BC10SD-SPBF半导体IRG4BC10 - DISCRETE IGBT WITH AN的技术和方案介绍
标题：IR品牌IRG4BC10SD-SPBF半导体IRG4BC10 - DISCRETE IGBT WITH AN的技术与方案介绍 随着科技的飞速发展，IRG4BC10SD-SPBF作为IR品牌的一款重要产品，以其独特的优势和出色的性能，在电力电子领域中发挥着越来越重要的作用。IRG4BC10是一款DISCRETE IGBT WITH AN，它集成了先进的电子器件和自动封接技术，具有高效、可靠、节能等特点。 IRG4BC10SD-SPBF的技术特点包括低导通电阻、高开关速度、高输入电容以及低栅
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2024-10
IR品牌IRGS4045DTRLPBF半导体IGBT W/ULTRAFAST SOFT RECOVERY D的技术和方案介绍
标题：IR品牌IRGS4045DTRLPBF半导体IGBT W/ULTRAFAST SOFT RECOVERY D的技术和方案介绍 IR品牌IRGS4045DTRLPBF半导体IGBT，以其ULTRAFAST SOFT RECOVERY D技术，在电子行业占据重要地位。这款IGBT具有快速软恢复的特点，使得其在高频、高效能电子设备中应用广泛。 首先，IRGS4045DTRLPBF的开关速度非常快，这使得它在开关电源、逆变器和太阳能电池板等设备中表现出色。在高频工作条件下，其低阻抗和快速响应特性