IGBT 是一种半导体晶体管或半导体开关，由四个交替的半导体材料层 (PNPN) 构成。当正确的电压施加到器件的栅极时，它能够传导电流——当该电压被移除时，传导就会停止。自问世以来，IGBT 一直在不断磨练和改进，特别是在改善开关损耗以及创建更薄的结构方面。如今，IGBT 通常将沟槽栅极与场截止结构结合起来，作为抑制器件内寄生 NPN 特性的手段。一旦实现这一点，传导损耗和饱和电压就会降低，从而带来诸如增强功率密度等好处。
IGBT 使用和技术示例IGBT 应用广泛，包括太阳能逆变器、储能系统、不间断电源 (UPS)、电机驱动、电动汽车充电器、工业焊接以及家用电器。通常，拓扑结构是专门为满足特定应用程序的需求而选择的，因此我们将比较和对比一些流行的应用程序。
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