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IGBT 是一种半导体晶体管或半导体开关,由四个交替的半导体材料层 (PNPN) 构成。当正确的电压施加到器件的栅极时,它能够传导电流——当该电压被移除时,传导就会停止。自问世以来,IGBT 一直在不断磨练和改进,特别是在改善开关损耗以及创建更薄的结构方面。如今,IGBT 通常将沟槽栅极与场截止结构结合起来,作为抑制器件内寄生 NPN 特性的手段。一旦实现这一点,传导损耗和饱和电压就会降低,从而带来诸如增强功率密度等好处。

IGBT 使用和技术示例IGBT 应用广泛,包括太阳能逆变器、储能系统、不间断电源 (UPS)、电机驱动、电动汽车充电器、工业焊接以及家用电器。通常,拓扑结构是专门为满足特定应用程序的需求而选择的,因此我们将比较和对比一些流行的应用程序。


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