IGBT 是一种半导体晶体管或半导体开关,由四个交替的半导体材料层 (PNPN) 构成。当正确的电压施加到器件的栅极时,它能够传导电流——当该电压被移除时,传导就会停止。自问世以来,IGBT 一直在不断磨练和改进,特别是在改善开关损耗以及创建更薄的结构方面。如今,IGBT 通常将沟槽栅极与场截止结构结合起来,作为抑制器件内寄生 NPN 特性的手段。一旦实现这一点,传导损耗和饱和电压就会降低,从而带来诸如增强功率密度等好处。
IGBT 使用和技术示例IGBT 应用广泛,包括太阳能逆变器、储能系统、不间断电源 (UPS)、电机驱动、电动汽车充电器、工业焊接以及家用电器。通常,拓扑结构是专门为满足特定应用程序的需求而选择的,因此我们将比较和对比一些流行的应用程序。
2024-02-12
DRAM存储容量计算:从物理结构到容量公式 一、DRAM的物理组织结构 DRAM,全称动态随机存取存储器,是计算机内存中的主要存储器,也是现代电子设备中不可或缺的一部分。理解DRAM的物理组织结构对于计算其存储容量至关重要。 在DRAM中,存储单元并非直接以位形式进行存储,而是以位宽和行地址数、列地址数的乘积进行存储。
2024-02-11
在日前召开的首届“AI Tech Day(人工智能科技日)”峰会上,中国工程院院士、清华大学计算机科学与技术系教授郑纬民指出,大模型训练的高算力需求正成为行业发展的挑战。他强调,自去年12月份以来,大模型所需的AI芯片价格已上涨一倍,且国外芯片市场“一卡难求”。尽管国内在AI芯片研制方面取得显著进步,但国产芯片尚未受到
2024-03-31
标题:Bourns品牌BIDW20N60T半导体IGBT 600V 20A TRENCH TO-247N技术详解及应用方案 Bourns品牌BIDW20N60T半导体IGBT,一款具有600V 20A TRENCH TO-247N规格的优质产品,凭借其高效能与低功耗,广泛应用于各类电子设备中。本文将深入解析其技术特点,
2024-02-11
AMD的Zen 4架构和Zen 4c架构的混合设计已在部分处理器中得到应用,这种设计兼顾了高性能和高效能。尽管官方对这一设计的细节保持了一定的神秘感,但AMD承诺将根据用户反馈逐步改进这一架构。目前,AMD混合架构产品已有六款型号上市,包括Ryzen 9 8945HS等高端型号。 AMD AM5平台:承诺长期支持 在处
2025-04-25 根据国务院办公厅 2025 年节假日安排,结合公司实际情况,现将五一劳动节放假及服务安排通知如下: 一、放假时间 2025 年5 月 1 日(周四)至 5 月 5 日(周一),共 5 天。4 月 27 日(周日)正常上班,5 月 6 日(周二)恢复正常运营。 二、服务保障 AI 助手在线服务:假期期间,亿配芯城的芯片 AI 助手仍将提供7×24 小时智能选型
2025-04-25 4月22日,在芯片技术迭代加速与 AI 深度渗透的双重驱动下,亿配芯城正式宣布接入 DeepSeek 大模型,推出智能芯片顾问服务。通过融合行业级语义理解与垂直领域知识库,亿配芯城将传统芯片采购中的参数查询、特性解析、手册解读与场景适配四大环节进行智能化升级,打造覆盖 "需求输入 - 方案输出 - 技术输出" 的端到端 AI 解决方案。 一、关键参数:毫秒级
2024-02-13 65 年前,德州仪器工程师 Jack Kilby 成功发明出世界上第一颗集成电路。这个设计彻底改变了我们的世界,为现代信息技术奠定了基础。一直以来,我们初心未改,致力于通过半导体技术让电子产品更经济实用,让世界更美好。继德州仪器进博会机器人与汽车电子展区一系列“芯”科技陆续抢先揭晓之后,你是否对德州仪器进博会可再生能源展区充满期待?在本届德州仪器进博会可再生
2024-02-13 据台湾地区经济日报报道,有分析师认为,今年下半年在消费性电子需求不进一步恶化的前提下,内存芯片NAND Flash 价格有望在今年第三季度止跌。 台媒指出,NAND Flash 为闪存,应用范围比 DRAM 更广,被大量使用在各种产品上。全球通货膨胀影响消费性终端产品需求量,內存大厂铠侠、美光、SK 海力士等陆续宣布减产后,三星在上月底终于松口,本季度会主
2024-02-12 DRAM存储容量计算:从物理结构到容量公式 一、DRAM的物理组织结构 DRAM,全称动态随机存取存储器,是计算机内存中的主要存储器,也是现代电子设备中不可或缺的一部分。理解DRAM的物理组织结构对于计算其存储容量至关重要。 在DRAM中,存储单元并非直接以位形式进行存储,而是以位宽和行地址数、列地址数的乘积进行存储。对于一个给定的存储单元,其位宽(也称为数
2024-02-12 意法半导体:产品竞争策略及市场前景 意法半导体(STMicroelectronics)是一家专注于半导体产品的全球领先供应商。凭借其在模拟、数字和混合信号技术领域的专业知识,意法半导体为汽车、工业、消费电子、医疗和通信等广泛行业提供高性能、可靠且环保的产品解决方案。本文将探讨意法半导体的产品如何与其他公司竞争,以及未来的市场前景。 在竞争激烈的市场环境中,意
2025-04-25 4月22日,在芯片技术迭代加速与 AI 深度渗透的双重驱动下,亿配芯城正式宣布接入 DeepSeek 大模型,推出智能芯片顾问服务。通过融合行业级语义理解与垂直领域知识库,亿配芯城将传统芯片采购中的参数查询、特性解析、手册解读与场景适配四大环节进行智能化升级,打造覆盖 "需求输入 - 方案输出 - 技术输出" 的端到端 AI 解决方案。 一、关键参数:毫秒级
2025-04-25 标题:onsemi品牌NGB8206ANSL3G半导体IGBT的技术和方案介绍 onsemi品牌的NGB8206ANSL3G半导体IGBT是一款高性能的功率半导体器件,具有出色的性能和可靠性。该器件广泛应用于各种电子设备中,如电源、电机控制、变频器、太阳能和电动汽车等。 一、技术特点 NGB8206ANSL3G IGBT采用了先进的工艺技术,具有高开关速度、
2025-04-24 标题:onsemi品牌NGB8206ANT4G半导体IGBT技术解析与方案介绍 onsemi品牌的NGB8206ANT4G半导体IGBT是一款高性能的N-CHANNEL半导体器件,具有20A的额定电流和390V的额定电压。这款产品广泛应用于工业控制、电源设备、新能源汽车等领域,具有出色的性能和可靠性。 技术特点: 1. 高速开关特性:NGB8206ANT4G
2025-04-23 标题:onsemi品牌MGP4N60E半导体IGBT,6A,600V,N-CHANNEL的技术和方案介绍 onsemi品牌的MGP4N60E半导体IGBT是一款高性能的N-CHANNEL MOSFET,适用于各种电源和电子设备。该器件具有6A,600V的额定值,使其在应用中具有出色的性能和可靠性。 技术特点: 1. 快速开关性能:MGP4N60E的开关速度非
2025-04-22 标题:onsemi MGP7N60ED半导体IGBT:技术解析与解决方案 onsemi MGP7N60ED是一款高性能的N-CHANNEL半导体IGBT,具有10A的电流容量和600V的电压规格。这款产品广泛应用于各种电子设备中,如电源转换器、电机驱动器和太阳能电池板等。 技术特点: 1. IGBT(绝缘栅双极型晶体管)是一种复合型功率半导体器件,具有开关速
2025-04-16 标题:onsemi品牌NGB8206NSL3半导体IGBT技术解析与方案应用 onsemi品牌的NGB8206NSL3半导体IGBT是一款高性能的N-CHANNEL器件,具有20A的额定电流和390V的额定电压。这款器件在工业、电源和电机控制等领域有着广泛的应用。 首先,NGB8206NSL3的IGBT技术采用了先进的工艺,具有高开关速度、低导通电阻和良好的
2025-04-25 4月22日,在芯片技术迭代加速与 AI 深度渗透的双重驱动下,亿配芯城正式宣布接入 DeepSeek 大模型,推出智能芯片顾问服务。通过融合行业级语义理解与垂直领域知识库,亿配芯城将传统芯片采购中的参数查询、特性解析、手册解读与场景适配四大环节进行智能化升级,打造覆盖 "需求输入 - 方案输出 - 技术输出" 的端到端 AI 解决方案。 一、关键参数:毫秒级
亿配芯城(深圳)电子科技有限公司(由之前深圳市新嘉盛工贸有限公司2022年变更名称) 成立于2013年,从实体店铺到线上经营,在行业已经拥有12年的集成芯片供应服务经验,平台成立于2016年并上线服务,商城平台主要特点;线上快捷交易配单+线下实体供应交货;两全其美的垂直发展理念。截止2021年公司服务的客户已经超过了40000家,与大疆、美的、鱼跃、海格通讯、中国科学院以及上海电气等都有合作,是国内电子元器件专业的电子商务平台+实体店企业。未来发展及模式主要以(一站式BOM采购配单,平台寄售/处理闲置库存达到资源共享双赢,电子工程师交流社区,硬件开发与支持等互动服务平台)在这个快速而发展迅猛的科技互联网时代为大家提供精准的大数据资源平台。
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