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  • 12
    2025-01

    IXYS品牌IXGH30N120B3D1半导体IGBT 1200V 300W TO247AD的技术和方案介绍

    IXYS品牌IXGH30N120B3D1半导体IGBT 1200V 300W TO247AD的技术和方案介绍

    一、技术参数 型号:IXGH30N120B3D1 电压:1200V,15A 频率:65KHz 功率:300W 封装:TO247AD 特性:IGBT(绝缘栅双极型晶体管) 二、技术特点 1. 高压性能:该IGBT具有出色的绝缘性能和高压输出能力,适用于各种大功率电源和逆变器应用。 2. 频率特性:该IGBT具有65KHz的开关频率,适用于高频开关电源,减小了电磁干扰(EMI),提高了系统效率。 3. 封装形式:TO247AD封装紧凑,散热性能好,适合于高密度集成。 三、应用方案 1. 电源模块:

  • 11
    2025-01

    IXYS品牌IXYH40N90C3D1半导体IGBT 900V 90A 500W TO247的技术和方案介绍

    IXYS品牌IXYH40N90C3D1半导体IGBT 900V 90A 500W TO247的技术和方案介绍

    IXYS的IXYH40N90C3D1是一款高性能的半导体IGBT,其规格为900V,90A,500W。这种IGBT在TO247封装中具有出色的性能和可靠性。 技术特点: 1. 高压性能:IXYS IXYH40N90C3D1的封装和规格设计使其具有出色的高压性能,适用于各种需要高电压应用的环境。 2. 快速开关特性:该IGBT具有快速的开关特性,使得它在高频率的应用中表现良好。 3. 热稳定性:TO247封装具有出色的热稳定性,使得该器件在高温环境下仍能保持出色的性能。 应用方案: 1. 工业电

  • 10
    2025-01

    IXYS品牌IXA33IF1200HB半导体IGBT 1200V 58A 250W TO247的技术和方案介绍

    IXYS品牌IXA33IF1200HB半导体IGBT 1200V 58A 250W TO247的技术和方案介绍

    一、技术特点 IXYS的IXA33IF1200HB是一款高性能的半导体IGBT,其技术特点包括: 1. 电压范围广:该器件可承受高达1200V的电压,适用于各种电源和电机控制应用。 2. 电流容量大:该器件的额定电流为58A,能够满足大功率应用的需求。 3. 转换效率高:该器件具有优异的转换效率,可有效降低系统能耗。 4. 热稳定性好:该器件具有较好的热稳定性,可在高温环境下稳定工作。 二、应用方案 该器件适用于各种电源和电机控制应用,如UPS电源、变频器、伺服驱动器等。以下是一些常见的应用方

  • 09
    2025-01

    IXYS品牌IXGH48N60A3D1半导体IGBT 600V 300W TO247AD的技术和方案介绍

    IXYS品牌IXGH48N60A3D1半导体IGBT 600V 300W TO247AD的技术和方案介绍

    一、技术特点 IXGH48N60A3D1是一款600V 300W的TO247AD封装结构的IGBT。它具有以下技术特点: 1. 高效能:该器件采用IXYS独特的封装设计,具有较高的热导率,能够有效降低芯片温度,提高器件的效率。 2. 高可靠性:该器件采用高品质的芯片和可靠的制造工艺,具有较高的可靠性,能够满足各种恶劣工况的使用要求。 3. 快速开关性能:该器件具有较快的开关速度,能够适应各种高频、快速切换的应用场景。 二、应用方案 该器件适用于各种需要大功率、高效率的电源和电机控制领域,如UP

  • 08
    2025-01

    IXYS品牌IXXH30N60C3D1半导体IGBT 600V 60A 270W TO247的技术和方案介绍

    IXYS品牌IXXH30N60C3D1半导体IGBT 600V 60A 270W TO247的技术和方案介绍

    IXXH30N60C3D1是IXYS品牌下的一款IGBT,其600V的电压和60A的电流,以及270W的功率,使其在许多电子设备中都有广泛的应用。TO247的封装形式使得该器件可以具有较小的体积和较高的性能。 技术特点: 1. 600V的电压可以使其适用于许多需要较高电压但不需要太高电流的场合。 2. 60A的电流可以满足大部分电子设备的电流需求。 3. 270W的功率使得该器件在需要较大功率的设备中也有应用。 4. TO247的封装形式使得该器件具有较小的体积,有利于提高电路的集成度。 应用

  • 07
    2025-01

    IXYS品牌IXYP60N65A5半导体IGBT 650V 60A X5 XPT TO-220的技术和方案介绍

    IXYS品牌IXYP60N65A5半导体IGBT 650V 60A X5 XPT TO-220的技术和方案介绍

    一、技术特点 IXYS品牌的这款IXYP60N65A5半导体IGBT是一款高性能的电子元器件,采用TO-220封装的650V 60A X5 XPT型号,具有高耐压、大电流、低损耗等特点。该器件在电路中起到功率控制的作用,适用于各种需要大电流开关的场合。 二、方案应用 1. 电源电路:IXYS IGBT可以用于电源电路中,提高电源的转换效率,减少发热,延长电源寿命。 2. 电机驱动:该器件适用于电机驱动电路,可以有效地控制电机的转速和功率,提高电机的性能和效率。 3. 逆变器:在逆变器中,IXY

  • 06
    2025-01

    IXYS品牌IXA12IF1200HB半导体IGBT 1200V 20A 85W TO247的技术和方案介绍

    IXYS品牌IXA12IF1200HB半导体IGBT 1200V 20A 85W TO247的技术和方案介绍

    一、技术特点 IXYS品牌的IXA12IF1200HB是一款高性能的半导体IGBT,其技术特点包括: 1. 电压范围广:该IGBT可承受高达1200V的电压,适用于各种电源和电子设备。 2. 电流容量大:该IGBT的额定电流为20A,能够满足大部分电子设备的电流需求。 3. 转换效率高:该IGBT具有较高的转换效率,能够有效降低功耗,提高设备的能效。 4. 工作温度范围广:该IGBT的工作温度范围较广,能够在不同的工作环境条件下稳定工作。 二、应用方案 该型号的IGBT适用于各种电源和电子设备

  • 04
    2025-01

    IXYS品牌IXGK75N250半导体IGBT 2500V 170A 780W TO264的技术和方案介绍

    IXYS品牌IXGK75N250半导体IGBT 2500V 170A 780W TO264的技术和方案介绍

    标题:IXYS品牌IXGK75N250半导体IGBT 2500V 170A 780W TO264的技术和方案介绍 IXYS品牌的IXGK75N250半导体IGBT是一款高性能的功率器件,其最大额定值高达780W,适用于各种高功率和高电压应用场景。该器件采用TO264封装形式,具有紧凑的结构和良好的热性能,适用于各种工业、电源和电子设备中。 技术特点: 1. 额定电压高达2500V,适用于各种高电压应用场景; 2. 额定电流高达170A,适用于大电流应用场合; 3. 热性能优异,具有快速的热响应

  • 02
    2025-01

    IXYS品牌IXYX25N250CV1HV半导体IGBT 2500V 235A PLUS247的技术和方案介绍

    IXYS品牌IXYX25N250CV1HV半导体IGBT 2500V 235A PLUS247的技术和方案介绍

    标题:IXYS品牌IXYX25N250CV1HV半导体IGBT 2500V 235A PLUS247的技术和方案介绍 一、技术概述 IXYS品牌IXYX25N250CV1HV半导体IGBT是一款高性能的功率半导体器件,具有2500V耐压和235A电流规格。该器件采用PLUS247封装,具有紧凑的结构和良好的热性能,适用于各种高电压大电流应用场景。 二、技术特点 1. 耐压高、电流大,能够承受更高的电压和更大的电流,适用于电力电子和电气传动领域。 2. 热性能优异,采用独特的散热设计,能够有效降

  • 31
    2024-12

    IXYS品牌IXYX120N120C3半导体IGBT 1200V 240A 1500W PLUS247的技术和方案介绍

    IXYS品牌IXYX120N120C3半导体IGBT 1200V 240A 1500W PLUS247的技术和方案介绍

    IXYS的IXYX120N120C3是一款高性能的半导体IGBT,适用于各种电源和电子设备。该器件具有出色的性能和可靠性,可提供卓越的能效和性能。 技术特点: * 1200V的电压规格和240A的电流规格,使其适用于大功率的应用场景; * 1500W的额定功率,保证了设备的效率和稳定性; * 快速导通和关断特性,大大提升了设备的响应速度; * 高温工作范围和高输入电容,增强了设备的耐用性和兼容性。 应用方案: * 在电源设备中,如UPS(不间断电源)和太阳能逆变器中,IXYS的IXYX120N

  • 30
    2024-12

    IXYS品牌IXBH42N170A半导体IGBT 1700V 42A 357W TO247的技术和方案介绍

    IXYS品牌IXBH42N170A半导体IGBT 1700V 42A 357W TO247的技术和方案介绍

    一、技术特点 IXBH42N170A是一款高性能的半导体IGBT,其技术特点包括: 1. 电压范围广:该器件可在1700V的高压下稳定工作,适用于各种高压应用场景。 2. 电流容量大:最大电流容量为42A,能够满足大电流场合的需求。 3. 功率密度高:该器件的功率密度达到了357W/cm,能够有效地降低能耗,提高工作效率。 4. 热稳定性好:该器件具有优秀的热稳定性,能够在高温环境下稳定工作。 5. 封装形式灵活:采用TO247封装形式,具有较高的集成度,便于安装和散热。 二、应用方案 基于以

  • 29
    2024-12

    IXYS品牌IXXK100N60C3H1半导体IGBT 600V 170A 695W TO264的技术和方案介绍

    IXYS品牌IXXK100N60C3H1半导体IGBT 600V 170A 695W TO264的技术和方案介绍

    IXYS品牌IXXK100N60C3H1半导体IGBT 600V 170A 695W TO264技术详解与方案介绍 IXXK100N60C3H1是IXYS品牌旗下的一款高性能IGBT,适用于各种电子设备,如变频器、电源转换器、电机控制等。该型号的IGBT采用TO264封装,具有体积小、重量轻、耐压高、电流大等特点。 技术特点: 1. 芯片尺寸:采用170A的超大电流,适合大功率应用。 2. 工作电压:600V的额定电压可满足一般设备的需求。 3. 开关速度:具有快速开关特性,有助于减少损耗,提