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2024-04
DGTD120T25S1PT半导体
标题：Diodes品牌DGTD120T25S1PT半导体IGBT 1200V-X TO247 TUBE 0.45K技术与应用方案介绍 Diodes品牌近期推出了一款名为DGTD120T25S1PT的半导体IGBT，该产品具有1200V-X TO247 TUBE 0.45K的规格，是一款适用于各种电子设备的理想选择。 技术特点： 1. 该IGBT采用了先进的工艺技术，具有高耐压、大电流、低损耗等特点，能够满足高功率、大电流应用场景的需求。 2. 该产品具有优良的热稳定性，能够在高功率、高频率下稳
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2024-04
BIDW50N65T半导体
标题：Bourns品牌BIDW50N65T半导体IGBT 650V 50A TRENCH TO-247-3L的技术与方案介绍 Bourns品牌BIDW50N65T是一款出色的半导体IGBT，其采用650V 50A TRENCH TO-247-3L封装，具有高效、可靠和节能等特性。 技术特点： 1. 650V设计，使得该器件能够在高电压、大电流的应用场景下稳定工作。 2. 采用TO-247-3L封装，具有高功率密度、高可靠性、低热阻等优点。 3. 内置热二极管，能够有效吸收功率损耗，提高系统效率
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2024-04
BIDW30N60T半导体IGBT 600V 30A TRE
标题：Bourns品牌BIDW30N60T半导体IGBT 600V 30A TRENCH TO-247的技术和方案介绍 Bourns品牌BIDW30N60T半导体IGBT是一款高性能的功率半导体器件，采用600V 30A TRENCH TO-247封装。该器件具有以下技术特点和方案介绍： 技术特点： 1. 600V 30A的额定电压和电流，适用于各种大功率应用场景； 2. 采用TO-247封装，具有高散热性能，适用于高温工作环境； 3. 集成门极电阻（IGR）低，具有较高的开关速度和效率； 4
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2024-04
BIDNW30N60H3半导体
标题：Bourns品牌BIDNW30N60H3半导体IGBT 600V 30A TRENCH TO-247N-3L的技术与方案介绍 Bourns品牌BIDNW30N60H3是一款出色的半导体IGBT，其600V 30A的规格使其在许多电子设备中具有广泛的应用。该器件采用先进的TO-247N-3L封装，具有高效率、高可靠性、低热阻等优势。 技术特点： 1. 600V 30A的IGBT芯片，保证了器件在高温、高电压环境下的稳定工作。 2. TO-247N-3L封装，具有高功率容量、低热阻、高可靠性
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2024-03
BIDW20N60T半导体
标题：Bourns品牌BIDW20N60T半导体IGBT 600V 20A TRENCH TO-247N技术详解及应用方案 Bourns品牌BIDW20N60T半导体IGBT，一款具有600V 20A TRENCH TO-247N规格的优质产品，凭借其高效能与低功耗，广泛应用于各类电子设备中。本文将深入解析其技术特点，并介绍相关应用方案。 一、技术特点： 1. 高效能与低功耗：BIDW20N60T采用先进的IGBT技术，具有高开关速度和低导通压降，大大提升了设备的工作效率和能效比。 2. 可靠
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2024-03
BIDD05N60T半导体IGBT 600V 5A TREN
标题：Bourns品牌BIDD05N60T半导体IGBT 600V 5A TRENCH TO-252的技术与方案介绍 Bourns品牌BIDD05N60T半导体IGBT是一款具有高性价比的600V 5A TRENCH TO-252封装的产品。该产品具有出色的性能表现，适用于各种电源和电机控制应用。 技术特点： 1. 该产品采用TO-252封装，具有优良的热性能和电气性能，能够有效降低芯片热阻，提高功率密度。 2. 具备较高的开关速度和良好的热稳定性，可适用于高频应用环境。 3. 芯片采用先进的
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2024-03
AOD5B65M1半导体IGBT 650V 5A TO252
标题：AOS品牌AOD5B65M1半导体IGBT 650V 5A TO252：技术与应用方案介绍 AOS品牌AOD5B65M1半导体绝缘栅双极型晶体管（IGBT）是一种高性能的功率半导体器件，它具有高耐压、大电流、频率高、开关损耗小等优点，被广泛应用于各种电子设备和系统中。本文将详细介绍AOS品牌AOD5B65M1半导体IGBT的技术特点和方案应用。 技术特点： 1. 芯片结构：采用TO-252封装形式，内部芯片采用P型基板，两侧为N沟道IGBT模块，具有高耐压、大电流、低损耗等特点。 2.
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2024-03
AOK50B65M2半导体IGBT 650V 50A TO2
标题：AOS品牌AOK50B65M2半导体IGBT 650V 50A TO247的技术和方案介绍 AOS品牌是全球知名的半导体供应商，其产品线丰富，品质卓越。今天，我们将为您详细介绍AOS品牌AOK50B65M2半导体IGBT 650V 50A TO247的技术和方案。 一、技术特点 AOK50B65M2是一款高性能的半导体IGBT，采用TO247封装，具有650V 6A的额定电压和50A的额定电流。该器件具有高开关速度、低导通压降和优异的热稳定性等特点，适用于各种电源和电机控制领域。 二、方
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2024-03
AOK30B65M2半导体IGBT 650V 30A TO2
标题：AOS品牌AOK30B65M2半导体IGBT 650V 30A TO247的技术和方案介绍 AOS品牌是全球知名的半导体供应商，其产品线丰富，品质卓越。今天，我们将为您详细介绍AOS品牌AOK30B65M2半导体IGBT 650V 30A TO247的技术和方案。 一、技术特点 AOK30B65M2是一款高性能的半导体IGBT，采用TO247封装，具有650V 6A的短路保护能力。该器件具有高开关速度、低损耗、高耐压等特点，适用于各种电源、电机控制等领域。 二、方案应用 1. 电源模块：
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2024-03
IGBT 1350V 40A 340W TO
标题：AOS品牌AOK20B135D1半导体IGBT 1350V 40A 340W TO-247的技术和方案介绍 AOS品牌作为全球知名的半导体供应商，其产品线丰富多样，涵盖了各种不同的应用领域。今天，我们将为您详细介绍AOS品牌的一款重要产品——AOK20B135D1半导体IGBT。 一、技术参数 该产品采用TO-247封装，具有1350V的额定电压，最大电流为40A，最大功率为340W。其工作频率范围广泛，适用于各种不同的应用场景。 二、应用领域 1. 工业电源：如电力电子变换器、电机驱动
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2024-03
AOS品牌AOD5B60D半导体IGBT 600V 10A
标题：AOS品牌AOD5B60D半导体IGBT 600V 10A 54.4W TO252的技术和方案介绍 AOS品牌的AOD5B60D半导体IGBT，采用TO252封装，是一款适用于各种电子设备的核心元件。该产品具有600V的电压容量，可实现10A的连续电流输出，以及高达54.4W的瞬时功率。这种高效且易于使用的组件为工程师们提供了更多机会，以满足他们对于高效节能的需求。 IGBT（绝缘栅双极型晶体管）是一种复合型的半导体模块，具有开关速度快、体积小、温度范围广等优点。这种特性使得AOS的AO
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2024-03
IGBT 1350V 30A 170W TO247的技术和方
标题：AOS品牌AOK30B135W1350V 30A 170W TO247半导体IGBT技术与应用方案介绍 AOS品牌是全球领先的半导体供应商之一，其AOK30B135W1350V 30A 170W TO247半导体IGBT是一款高性能的功率半导体器件。该器件采用TO247封装，具有高耐压、大电流、高效率等特点，适用于各种高功率电子设备中。 技术特点： 1. 该器件采用先进的工艺技术，具有高导通压降和快速开关性能，能够有效降低功耗和系统能耗。 2. 高耐压的封装设计使得该器件适用于高压应用场