芯片产品
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2024-12
IXYS品牌IXYT85N120A4HV半导体IGBT GENX4 1200V 85A TO268HV的技术和方案介绍
IXYS IGYT85N120A4HV是一款高性能的1200V 85A TO268HV规格的IGBT模块，具有出色的性能和出色的散热性能。 该模块采用先进的技术，包括优化设计、材料选择和制造工艺，以实现高效率和低热阻。这使得IXYS IGYT85N120A4HV在各种工业应用中表现出色，如电力转换、电机驱动和加热设备。 此外，该模块还具有出色的热性能，可实现高功率密度和高热导率，从而降低组件的温度，延长其使用寿命。这使得IXYS IGYT85N120A4HV成为许多工业应用中的理想选择。 使用
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2024-12
IXYS品牌ITF48IF1200HR半导体DISC IGBT XPT-GENX3 ISOPLUS247的技术和方案介绍
IXYS品牌ITF48IF1200HR半导体DISC IGBT是一款高性能的功率半导体器件，采用XPT-GENX3 ISOPLUS247技术制造，具有出色的性能和可靠性。 该器件采用先进的IGBT结构，具有更高的开关频率和更低的损耗，适用于各种电源和电机控制应用。其特点包括快速响应、低导通压降、高耐压、高电流容量等，适用于各种工业和商业应用场景。 XPT-GENX3 ISOPLUS247技术采用了最先进的半导体工艺，实现了高性能、高可靠性和高效率。该技术采用高温焊接和可靠密封封装技术，确保了器
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2024-12
IXYS品牌IXYH30N120C3D1半导体IGBT 1200V 66A 416W TO247的技术和方案介绍
IXYS IXYH30N120C3D1是一款高性能的半导体IGBT，适用于各种电源和电子设备。该器件采用TO247封装，具有紧凑的结构和高效的散热性能。 技术特点： * 1200V耐压，66A电流，416W功率； * 快速导通和关断特性，有助于提高系统效率； * 热阻低，有助于降低结温，延长使用寿命； * 集成门极可调电阻，便于驱动和控制； * 封装紧凑，适用于空间受限的应用场景。 应用方案： * 电源模块：IXYS IXYH30N120C3D1可应用于中大功率电源模块，如UPS、充电桩、变频
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2024-12
IXYS品牌IXGH16N170A半导体IGBT 1700V 16A 190W TO247的技术和方案介绍
标题：IXYS品牌IXGH16N170A半导体IGBT技术与应用方案介绍 一、简述产品 IXYS品牌的IXGH16N170A半导体IGBT是一款适用于电源和电机控制领域的功率半导体器件。其具有1700V的电压耐压，额定电流为16A，最大功率为190W，封装形式为TO247。这款器件具有较高的开关速度和较低的损耗，适用于需要高效、快速响应的电源系统。 二、技术特点 1. 高压、大电流、高功率特性，使其在电源和电机控制领域具有显著优势。 2. 快速开关速度和低损耗，有助于提高系统的效率，降低能源消
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2024-12
IXYS品牌IXYH10N170CV1半导体IGBT 1.7KV 36A TO247的技术和方案介绍
标题：IXYS品牌IXYH10N170CV1半导体IGBT 1.7KV 36A TO247的技术和方案介绍 一、技术概述 IXYS品牌的IXYH10N170CV1半导体IGBT是一款适用于高电压、大电流输出的电子元器件，其型号为TO247。该器件采用先进的技术和材料制造，具有优良的电气性能和可靠性。 二、技术特点 1. 高压性能：该器件能承受1.7KV的电压，适用于需要高电压场合。 2. 电流容量大：该器件的额定电流为36A，适用于大电流应用场景。 3. 温度系数低：该器件具有较低的温度系数，
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2024-12
IXYS品牌IXGH16N170半导体IGBT 1700V 32A 190W TO247AD的技术和方案介绍
一、技术特性 IXGH16N170是一款高性能的半导体IGBT，其技术特性如下： 1. 电压范围：该器件适用于电压为1700V的电源系统，可满足不同应用场景的需求。 2. 电流容量：该器件的额定电流为32A，能够满足大多数电力电子应用的需求。 3. 功率损耗：该器件的额定功率为190W，具有较高的效率。 4. 封装形式：TO247AD封装形式，具有较高的散热性能。 二、应用方案 该器件适用于各种电源、电机控制和变频器等应用领域。以下是一些典型的应用方案： 1. 电源模块：可将该器件应用于电源模
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2024-12
IXYS品牌IXYT55N120A4HV半导体IGBT GENX4 1200V 55A TO268HV的技术和方案介绍
IXYS IGYT55N120A4HV是一款1200V 55A TO268HV的IGBT，具有出色的性能和可靠性。该器件采用先进的半导体技术制造，具有高速开关和低导通电阻，使其在各种电源应用中表现出色。 该器件的工作原理是基于电子和空穴的导通，实现了高效率、高功率密度和高功率密度转换器。它的主要优点是频率响应快、热稳定性好、电压波动范围宽等特点。同时，由于该器件采用了新型封装技术，使得散热性能更加优越。 在实际应用中，该器件可广泛应用于UPS电源、变频空调、风力发电、轨道交通等高功率密度和高效
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2024-12
IXYS品牌IXYH20N120C3D1半导体IGBT 1200V 36A 230W TO-247AD的技术和方案介绍
IXYS的IXYH20N120C3D1是一款高性能的半导体IGBT，适用于各种电源和电子设备。该器件采用TO-247AD封装，具有紧凑的结构和良好的热性能。 技术特点： * 1200V耐压，36A漏极电流，230W功耗； * 快速开关性能，低损耗和低噪音性能； * 热阻低，工作温度范围广； * 集成度较高，易于安装和维护。 应用方案： * 电源模块：IXYS的IXYH20N120C3D1可以作为电源模块的核心器件，适用于各种高功率、大电流的电源设备。通过合理的设计和散热措施，可以有效地降低电源
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2024-12
IXYS品牌IXYH100N65C3半导体IGBT 650V 200A 830W TO247的技术和方案介绍
IXYS的IXYH100N65C3是一款高性能的半导体IGBT，适用于各种电子设备中。该型号的IGBT采用了650V的技术规格，能够承受高达200A的电流和830W的功率。 该型号的IGBT采用了TO247封装形式，这种封装形式具有高功率容量、低热阻和良好的散热性能等特点，能够满足各种电子设备的散热需求。此外，该封装形式还具有较高的集成度，能够减少电路板的面积和降低成本。 IXYS的IXYH100N65C3IGBT具有较高的开关速度和较低的损耗，适用于各种需要高效能的电子设备中。其应用领域包括
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2024-12
IXYS品牌IXYH30N120C3半导体IGBT 1200V 75A 500W TO247的技术和方案介绍
IXYS IXYH30N120C3是一种高性能的1200V IGBT组件，具有75A的额定电流和500W的功率容量。该组件采用TO247封装，具有紧凑的尺寸和高效的散热性能。 该IGBT的特点是工作频率高，开关速度快，损耗低，并且具有较高的输入/输出电压能力。其工作温度范围宽，能在高温和低温环境下保持稳定的性能。此外，该组件还具有较高的可靠性和耐久性，适用于各种工业应用场景。 在实际应用中，IXYS IXYH30N120C3可以与适当的驱动器和保护电路一起使用。驱动器需要提供适当的电压和电流，
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2024-12
IXYS品牌IXYH40N120C3半导体IGBT 1200V 70A 577W TO247的技术和方案介绍
IXYS IXYH40N120C3是一种高性能的1200V IGBT组件，具有70A的额定电流和577W的极限功率。该组件采用TO247封装，具有紧凑的结构和良好的热性能。 该组件采用先进的工艺制造，具有高开关速度、低损耗、高耐压和低导通电阻等特性。其应用领域广泛，包括电源、电机控制、变频器、太阳能逆变器和新能源汽车等。 在方案应用方面，IXYS IXYH40N120C3可以与适当的驱动器和保护电路一起使用，以实现高效和可靠的功率转换。该组件适合用于需要高功率密度、高效率和高可靠性应用的场合，
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2024-12
IXYS品牌IXYA20N120C4HV半导体IGBT 1200V 20A X4 HSPEED TO263D2的技术和方案介绍
标题：IXYS品牌IXYA20N120C4HV半导体IGBT 1200V 20A X4 HSPEED TO263D2的技术和方案介绍 一、技术概述 IXYS品牌的IXYA20N120C4HV半导体IGBT是一款适用于交流电机、电源转换等领域的1200V 20A IGBT模块。该器件采用X4 HSPEED封装，TO-263D2型封装，具有高耐压、大电流、高速开关等特性。其内部结构为P通道双极性功率器件，具有较高的输入阻抗和较低的输出阻抗，使得电路损耗大大降低。 二、方案应用 该器件适用于各种大功