芯片产品
热点资讯
- IGBT的基本原理和工作方式
- 基于TMS320C6678与XC7K325T的通用信号板卡
- AOS品牌AOK40B60D1半导体IGBT 600V 80
- IGBT的成本与价格分析
- Infineon品牌IKU06N60R半导体IGBT, 12A, 600V, N-CHANNEL的技术和方案介绍
- Infineon品牌IKW30N65H5XKSA1半导体IGBT TRENCH 650V 55A TO247-3的技术和方案介绍
- Infineon品牌IKW40N60DTPXKSA1半导体IGBT TRENCH/FS 600V 67A TO247-3的技术和方案介绍
- Infineon品牌IGW08T120FKSA1半导体IGBT 1200V 16A 70W TO247-3的技术和方案介绍
- Infineon品牌IKW40N65H5FKSA1半导体IGBT 650V 74A TO247-3的技术和方案介绍
- Infineon品牌IKQ50N120CH3XKSA1半导体IGBT 1200V 100A TO247-3-46的技术和方案介绍
-
18
2024-11
IXYS品牌IXYH16N170C半导体IGBT 1.7KV 40A TO247的技术和方案介绍
IXYS的IXYH16N170C是一款具有出色性能的半导体IGBT。它具有1.7KV的电压耐受能力,适用于各种工业和电源应用。该型号的额定电流为40A,使其成为中高功率电路的理想选择。 技术特点: * IXYS IGBT采用了最新的技术,具有快速开关和低导通电阻的特点,这使得它在高频率和高压应用中表现出色。 * 它具有出色的热性能,可以通过良好的散热设计来优化其性能,从而提高系统的可靠性。 * 它的电压和电流能力可以通过外部电路配置进行灵活调整,以满足各种应用需求。 应用方案: * 工业电源:
-
17
2024-11
IXYS品牌IXXH30N60B3D1半导体IGBT 600V 60A 270W TO247的技术和方案介绍
一、技术概述 IXYS的IXXH30N60B3D1半导体IGBT是一款适用于各种电子设备的组件。它具有600V的额定电压,能够提供60A的连续电流和270W的额定功率。其TO247封装使它适用于各种小尺寸的电子设备中。 二、技术细节 这款IGBT具有高效率、低损耗、高可靠性和易于使用的特性。它采用了先进的TO-247-3标准封装,这种封装形式提供了优异的热导热性能,使散热器与芯片之间保持良好的热传导,从而提高组件的工作稳定性。 三、应用方案 这款IGBT适用于各种电源和电子设备,如UPS不间断
-
16
2024-11
IXYS品牌IXYP50N65C3半导体IGBT 650V 130A 600W TO220的技术和方案介绍
IXYS的IXYP50N65C3半导体IGBT是一款适用于各种电子设备的组件。它具有650V的额定电压,高达130A的电流容量,以及600W的功率输出。这种IGBT采用了TO220的封装形式,使其具有紧凑的尺寸和良好的热性能。 该组件的工作原理主要基于绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的技术,这是一种复合开关器件,可以在高电压和大电流的应用中实现高效且快速的开关。其工作状态可以通过控制输入信号来调节,从而实现各种电子设备的动态控制。 在应用方案方面,IXYS的IXYP50N65C3可以应用于电源电
-
15
2024-11
IXYS品牌IXEL40N400半导体IGBT 4000V 90A 380W ISOPLUSI5的技术和方案介绍
标题:IXYS品牌IXEL40N400半导体IGBT 4000V 90A 380W ISOPLUSI5的技术和方案介绍 一、技术概述 IXYS品牌的IXEL40N400半导体IGBT是一款高性能的功率半导体器件,其型号为4000V 90A 380W ISOPLUSI5。该器件采用先进的工艺技术,具有高耐压、大电流、高效率等特点,广泛应用于各种电力电子设备中。 二、技术特点 1. 高压性能:器件的耐压值高达4000V,能够承受较大的电压和电流负荷,适用于高压电源和逆变器等应用场景。 2. 大电流
-
14
2024-11
IXYS品牌IXBH20N360HV半导体IGBT 3600V 70A TO-247HV的技术和方案介绍
一、技术特点 IXYS品牌的IXBH20N360HV半导体IGBT是一款高性能的功率半导体器件,其工作电压高达3600V,最大电流达到70A。该器件采用了TO-247HV封装形式,具有高耐压、大电流、高频性能好、温度范围广等特点。 二、应用方案 1. 工业电源:IXBH20N360HV适用于各种工业电源设备,如变频器、电机驱动器等,能够提高设备的效率和稳定性。 2. 新能源领域:IXBH20N360HV适用于太阳能、风能等新能源领域,能够提高新能源设备的功率输出和转换效率。 3. 电动汽车:I
-
13
2024-11
IXYS品牌IXYT30N450HV半导体IGBT的技术和方案介绍
标题:IXYS品牌IXYT30N450HV半导体IGBT的技术和方案介绍 随着科技的飞速发展,半导体技术也在不断进步。IXYS公司的IXYT30N450HV半导体IGBT作为一种重要的电子元件,在各种电子设备中发挥着重要作用。本文将介绍IXYS品牌IXYT30N450HV半导体IGBT的技术和方案。 首先,IXYS IXYT30N450HV半导体IGBT采用了先进的工艺技术,具有高耐压、大电流、频率响应快、温度稳定性好的特点。其工作原理主要是通过控制信号改变其导通电阻,从而实现开关功能。 其次
-
12
2024-11
IXYS品牌IXYT25N250CHV半导体IGBT 2500V 235A TO-268HV的技术和方案介绍
标题:IXYS品牌IXYT25N250CHV半导体IGBT 2500V 235A TO-268HV的技术与方案介绍 随着科技的飞速发展,半导体技术也在不断创新和进步。IXYS品牌的IGBT(绝缘栅双极晶体管)产品,以其卓越的性能和可靠性,在电力电子领域中发挥着越来越重要的作用。其中,IXYT25N250CHV型号的IGBT更是以其高电压、大电流和高效率等特点,备受市场青睐。 技术特点: 1. 电压等级:该型号IGBT的电压等级为2500V,能够承受较高的电压,适用于需要大功率输出的场合。 2.
-
11
2024-11
IXYS品牌IXYK120N120C3半导体IGBT 1200V 240A 1500W TO264的技术和方案介绍
IXYS的IXYK120N120C3是一款高性能的半导体IGBT,适用于各种电源和电子设备。该型号的IGBT采用了TO264封装,具有紧凑的结构和良好的热性能。 技术特点: * 该IGBT采用了先进的工艺技术,具有高输入阻抗、低导通压降和快速开关特性。 * 它还具有较高的工作频率和较低的电磁干扰,因此适用于高效率和低噪音的应用环境。 * 此外,该型号的IGBT还具有较长的使用寿命和可靠性,可以承受恶劣的工作环境。 应用方案: * 该IGBT适用于电源模块、UPS不间断电源、变频器、电机驱动等领
-
10
2024-11
IXYS品牌IXXX200N65B4半导体IGBT 650V 370A 1150W PLUS247的技术和方案介绍
一、技术概述 IXYS的IXXX200N65B4半导体IGBT是一款高性能的功率半导体器件,其特点是650V的电压规格和370A的电流容量。该器件采用了IXYS独特的PLUS247技术,具有高效率、低噪音、低发热量等优点,适用于各种工业应用领域。 二、方案应用 1. 电源转换:IXXX200N65B4可以用于电源转换电路中,如逆变器、充电器等,实现高效电能转换。 2. 电机控制:该器件也可用于电机控制电路,如变频器、伺服电机等,实现精确控制和节能。 3. 工业加热:由于其高效率特性,IXXX2
-
09
2024-11
IXYS品牌IXXX160N65B4半导体IGBT 650V 310A 940W PLUS247的技术和方案介绍
一、技术特点 IXYS品牌的IXXX160N65B4半导体IGBT是一款高性能的功率半导体器件,具有以下技术特点: 1. 650V 650V的耐压等级,能够承受较大的电压和电流。 2. 310A的额定电流,能够满足大部分的功率应用需求。 3. 940W的功率输出,适用于各种大功率应用场景。 4. 采用先进的封装技术,具有较高的热稳定性和可靠性。 二、方案应用 该器件适用于各种大功率电源、电机驱动、变频器等应用场景。以下是一些常见的方案应用: 1. 电源模块:可将交流电源转换为直流电源,适用于各
-
08
2024-11
IXYS品牌IXYH82N120C3半导体IGBT 1200V 200A 1250W TO247AD的技术和方案介绍
IXYS的IXYH82N120C3是一款1200V、200A、1250W的IGBT,采用TO247AD封装,适用于各种高效率的电源和电机驱动系统。 技术特点: * 这款IGBT采用了先进的工艺技术,具有高输入阻抗、低导通压降、高开关速度等特点,使其在高温、高功率、高频等恶劣环境下仍能保持良好的性能。 * 其通态电压可调性好,适用于各种不同应用场景,如UPS、EPS、太阳能逆变器、机车牵引逆变器等。 * 封装采用小型化TO247AD,具有优良的热导率和热容量,提高了系统的可靠性和使用寿命。 应用
-
07
2024-11
IXYS品牌IXYH24N170C半导体IGBT 1.7KV 58A TO247-3的技术和方案介绍
IXYS的IXYH24N170C是一款高品质的1.7KV IGBT,其最大电流为58A,封装为TO247-3。这款半导体器件具有高效、高耐压、低导通电阻等特点,适用于各种电子设备中。 首先,这款IGBT采用了先进的生产工艺,具有优异的电气性能和可靠性。在应用中,它可以实现高效地转换和控制电能,是变频器、伺服电机、UPS电源等设备的理想选择。 方案介绍: 针对这款器件,我们提供了一系列应用方案。首先,对于需要大功率、高效率的变频器系统,我们推荐采用多路输出模块,以实现更高效地控制和保护。对于伺服