标题：Rohm品牌RGWX5TS65EHRC11半导体IGBT TRENCH FLD 650V 132A TO247N的技术与方案介绍 Rohm品牌的RGWX5TS65EHRC11半导体IGBT，采用TRENCH FLD工艺技术，具有650V 132A的强大性能，适用于各种电子设备中。 该IGBT的特点在于其高耐压、大电流、低损耗的特点，使其在各种恶劣环境下都能保持稳定的性能。TO247N封装形式使得其具有更小的体积，更易于安装和集成。 在方案应用方面，RGWX5TS65EHRC11适用于电源
标题：Rohm品牌RGT00TS65DGC13半导体IGBT TRNCH FIELD 650V 85A TO247G技术与应用方案介绍 Rohm品牌RGT00TS65DGC13半导体IGBT TRNCH FIELD 650V 85A TO247G是一种高性能的半导体器件，适用于各种电子设备中。该器件采用TO247G封装，具有高耐压、大电流和高热导率等特点，适用于高功率和高频率的应用场景。 技术特点： 1. 该器件采用先进的工艺技术，具有高饱和电压、低导通电阻和快速响应速度等优点。 2. 器件具
Infineon英飞凌FZ2000R33HE4BOSA1模块IGBT MOD IHV IHM T XHP 3 3-6 5K参数及方案应用 一、简介 Infineon英飞凌FZ2000R33HE4BOSA1模块是一款高性能的IGBT（绝缘栅双极型晶体管）模块，适用于各种电力电子应用。该模块具有高效率、高功率密度、高可靠性等特点，适用于各种工业和商业应用。 二、主要参数 1. IGBT类型：FZ2000R33HE4BOSA1模块采用N-MOS IGBT，具有高开关速度和低导通电阻。 2. 工作电压
标题：Rohm RGT60TS65DGC13半导体IGBT TRNCH FIELD 650V 55A TO247G技术解析与方案介绍 Rohm RGT60TS65DGC13半导体IGBT TRNCH FIELD 650V 55A TO247G是一款高性能的半导体器件，适用于各种电子设备中。它采用TO247G封装，具有高可靠性、高耐压、高电流密度等优点。 技术特点： 1. 该器件采用TO247G封装，具有优良的热性能和电气性能，适用于高温、高湿度等恶劣环境。 2. 它采用先进的工艺技术，具有高耐
Rohm RGS50TSX2DGC11是一款采用TRENCH FLD工艺技术的半导体IGBT，适用于各种电子设备，如电源转换器、电机驱动器、太阳能逆变器和UPS系统等。 该器件采用TO247-2封装，具有高耐压、大电流和高效率等特点。其工作电压高达1200V，电流容量为50A，能够满足大多数应用需求。其导通电阻低，开关速度高，有助于降低功耗和系统成本。 Rohm RGS50TSX2DGC11的独特之处在于其采用TRENCH FLD工艺技术。这种技术使用氮化硅作为绝缘材料，将栅极和漏极区域分开，
随着电力电子技术的不断发展，IGBT模块在各种工业应用中发挥着越来越重要的作用。今天，我们将详细介绍Infineon英飞凌的FF1800R17IP5BPSA1模块，一款具有1700V和1800A电流能力的IGBT MODULE。 首先，我们来了解一下该模块的基本参数。FF1800R17IP5BPSA1是一款具有高电压和大电流能力的IGBT模块，其工作电压达到1700V，电流容量为1800A。这意味着该模块适用于各种大功率的工业应用，如风电、太阳能、轨道交通、工业电机等。 在性能方面，该模块具有
标题：Rohm品牌RGT50TS65DGC13半导体IGBT TRNCH FIELD 650V 48A TO247G技术与应用方案介绍 Rohm品牌RGT50TS65DGC13半导体IGBT TRNCH FIELD 650V 48A TO247G是一种高性能的半导体器件，适用于各种电子设备中。该器件采用TO-247G封装，具有高耐压、大电流和低损耗的特点，适用于电力电子和通信领域。 技术特点： 1. 该器件采用TO-247G封装，具有高散热性能和低热阻，能够承受更高的电压和电流。 2. 采用先
Infineon英飞凌FZ2400R12HP4HOSA2模块IGBT MODULE 1200V 3460A参数详解及应用方案 一、简介 Infineon英飞凌FZ2400R12HP4HOSA2模块是一款高性能的绝缘栅双极晶体管（IGBT）模块，其电压等级为1200V，电流容量高达3460A。这款模块广泛应用于各种大功率电子设备中，如电力转换系统、电机驱动系统、高频加热设备等。 二、参数详解 1. 电压等级：1200V，这意味着该模块可以在电压峰值达到1200V的环境下正常工作。 2. 电流容量
Rohm Rohm品牌RGSX5TS65EGC11半导体IGBT是一种重要的电子元器件，具有较高的电压和电流容量，适用于各种电子设备中。该器件采用TRENCH FLD技术，具有更高的效率和更低的热阻，能够更好地适应高温和高湿度环境。 该器件采用TO247-N封装形式，具有较高的散热性能和可靠性。其内部结构包括P-BODY、N-DRIVE、N-BUS、N-HEAT SINK和FEED-THRU等部分，各部分之间通过精密的工艺制造而成，确保了器件的高质量和稳定性。 RGSX5TS65EGC11半导