Rohm品牌RGTH00TS65DGC13半导体IGBT TRNCH FIELD 650V 85A TO247G技术与应用方案 RGTH00TS65DGC13是一款高性能的半导体IGBT，采用TO247G封装，具有650V和85A的额定电流。该器件采用了Rohm公司独特的TRNCH FIELD技术，具有更高的开关频率和更低的功耗。 技术特点： 1. 650V额定电压，85A额定电流 2. 采用TO247G封装，易于安装 3. 采用TRNCH FIELD技术，具有更高的开关频率和更低的功耗 4.
RGW80TK65DGVC11是Rohm品牌的一款高性能半导体IGBT，适用于各种电子设备，如电源转换器、电机驱动器、加热器和照明系统等。 该IGBT采用了TRNCH FIELD技术，具有更高的效率和更低的功耗。其工作电压为650V，最大电流为39A，使其适用于各种中高压应用场景。此外，该器件还具有快速开关特性，使得在切换时产生的电磁干扰降至最低。 TO3PFM封装形式使得该器件具有高可靠性、易于安装和散热性能良好的特点。这种封装形式还提供了良好的热导率和较低的热膨胀系数，确保了器件在高温和低
标题：Rohm RGS80TS65HRC11半导体IGBT TRNCH FIELD 650V 73A TO247N的技术与方案介绍 Rohm RGS80TS65HRC11半导体IGBT是一种高性能的功率半导体，适用于各种电子设备，如逆变器、变频器、电机驱动器等。该器件采用TO247N封装，具有高耐压、大电流、低损耗等特点，适用于650V等级的电源系统。 技术特点： 1. 芯片采用TO-252封装，具有高可靠性、高耐压、大电流等特点。 2. 采用独特的TRNCH FIELD技术，提高了器件的开关
标题：Rohm品牌RGW80TS65DGC11半导体IGBT TRNCH FIELD 650V 78A TO247N技术与应用方案介绍 Rohm品牌RGW80TS65DGC11半导体IGBT TRNCH FIELD 650V 78A TO247N是一款高性能的半导体器件，适用于各种电子设备中。该器件采用TO-247-N封装形式，具有高耐压、大电流、低损耗等特点，适用于各种工业应用和高功率电子设备中。 技术特点： 1. 该器件采用TO-247-N封装形式，具有高耐压、大电流、低损耗等特点，适用于
RGWX5TS65DHRC11是Rohm公司推出的一款高性能半导体IGBT，采用TRENCH FLD工艺技术，具有650V 132A的规格，适用于各种电子设备，如电源、电机控制、变频器等。 技术特点： 1. 高压性能：650V的电压规格能够满足大多数应用场景的需求，提高系统的稳定性和可靠性。 2. 快速开关：采用FLD工艺技术，使得IGBT具有更快的开关速度，降低了功耗和系统发热。 3. 热稳定性：采用TO247N封装形式，具有优良的热稳定性，能够适应高温和高湿度工作环境。 应用方案： 1.
随着电力电子技术的不断发展，IGBT模块在各种工业应用中发挥着越来越重要的作用。今天，我们将详细介绍Infineon英飞凌的FS75R12W2T4B11BOMA1模块，它是一款具有高性能、高可靠性的1200V 107A 375W IGBT模块。 首先，我们来了解一下该模块的基本参数。FS75R12W2T4B11BOMA1是一款N-MOS IGBT模块，采用TO-247-3封装。它具有12A的栅极驱动电流能力，工作温度范围为-40℃至+150℃，适用于各种工业应用，如电机驱动、不间断电源（UPS