标题：意法半导体STGP30M65DF2半导体IGBT 650V 30A TO-220AB的技术和方案介绍 意法半导体STGP30M65DF2半导体IGBT 650V 30A TO-220AB是一款高性能的绝缘栅双极型晶体管，适用于各种电力电子应用。这款IGBT具有出色的性能和可靠性，适用于各种工业和消费电子产品。 技术特点： * 650V的耐压能力，确保了设备在高压环境下的稳定运行； * 30A的额定电流，能够满足大多数中大型设备的电力需求； * TO-220AB的封装形式，具有低热阻、高功
标题：意法半导体STGF7NB60SL半导体IGBT 600V 15A 25W TO220FP的技术和方案介绍 意法半导体STGF7NB60SL是一款高性能的600V 15A 25W IGBT（绝缘栅双极晶体管）模块，适用于各种电子设备，如电源转换器、电机驱动器、逆变器等。这款IGBT模块具有出色的性能和可靠性，为设计人员提供了强大的解决方案。 技术特点： * 600V高电压设计，适用于需要高压电源转换的应用； * 15A的额定电流，能够满足大多数电源和电机驱动器的需求； * 25W的额定功率
随着科技的进步，电子设备对功率半导体器件的需求越来越高。Infineon英飞凌的FS150R12KT3BOSA1模块IGBT MOD，以其卓越的性能和可靠性，成为了许多应用的首选。本文将详细介绍该模块的参数以及其在不同方案中的应用。 首先，我们来了解一下FS150R12KT3BOSA1模块的基本参数。它是一款1200V、200A、700W的IGBT模块。其工作温度范围为-40℃至150℃，封装形式为TO-3963。这种模块具有高输入阻抗、快速开关特性以及低导通压降等特点，使其在各种高功率电子设
标题：意法半导体STGP5H60DF半导体TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, H S的技术与方案介绍 意法半导体（STMicroelectronics）推出了一款新型的TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT，型号为STGP5H60DF。这款产品在H S方向上具有出色的性能表现，尤其在节能和高效应用领域具有显著优势。 技术特点： 1. TRENCH GATE技术：采用这种先进的技术，使得IGBT的导通状态更稳定，降低了开关损耗。 2. FIELD-STOP特
标题：意法半导体STGP6M65DF2半导体TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE的技术与方案介绍 意法半导体STGP6M65DF2半导体TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE是一款高性能的功率半导体器件，具有卓越的性能和可靠性。该器件采用先进的TRENCH GATE技术，具有低导通电阻和高开关速度，适用于各种电源和电机控制应用。 STGP6M65DF2的主要特点包括： * 高输入电流能力，适用于各种电源和电机控制应用； * 优异的热性能和机
标题：意法半导体STGD10NC60KDT4半导体IGBT 600V 20A 62W DPAK技术解析与方案推荐 意法半导体STGD10NC60KDT4是一款高性能的半导体IGBT，其规格为600V、20A、62W DPAK。这款产品在当今的电子设备中应用广泛，尤其是在电力转换和控制领域。本文将详细介绍这款产品的技术特点，并给出相应的应用方案。 一、技术特点 1. 600V的电压规格适用于多种电源和电子设备，如电动车、通信电源、UPS电源等。 2. 20A的电流规格表明这款IGBT具有较高的电
标题：意法半导体STGWT40H65DFB半导体IGBT 650V 80A 283W TO3P-3L的技术与方案介绍 STGWT40H65DFB是一款高性能的半导体IGBT，适用于各种电源和电子设备。该芯片采用TO3P-3L封装，具有650V的额定电压和80A的额定电流，以及283W的额定功率。 技术特点： 1. 该芯片采用先进的工艺技术，具有高开关速度和高效率的特点，适用于各种电源和电子设备的优化设计。 2. 芯片内部集成有自保护功能，能够有效防止过压、过流等异常情况对电路的损害。 3. 芯
标题：意法半导体STGWT60H65DFB半导体IGBT 650V 80A 375W TO3P-3L的技术与方案介绍 意法半导体STGWT60H65DFB是一款高性能的半导体IGBT，适用于各种电源和电机控制应用。该器件采用TO3P-3L封装，具有650V 80A的额定功率和375W的峰值功率，适用于需要高效、可靠和节能的电子系统。 技术特点： 1. 650V额定电压，适合于各种电源和电机控制应用。 2. 80A的额定电流，能够满足大电流应用的需求。 3. 375W的峰值功率，适用于需要高效率
一、简述产品 Infineon英飞凌FF300R12ME4BOSA1模块是一款高性能的IGBT（绝缘栅双极型晶体管）模块，其额定电压为1200V，最大电流为450A，总功率为1600W。该模块广泛应用于各种需要大功率、高效率的电子设备中，如逆变器、感应加热装置、电机驱动系统等。 二、技术参数 1. 电压：1200V； 2. 电流：450A； 3. 功率：1600W； 4. 开关频率：高达35KHz； 5. 工作温度范围：-40℃至+150℃； 6. 封装形式：TO-3P（标准封装）。 三、方案
LIS2DH12TR现货特供亿配芯城！高性能三轴加速度传感器一站式采购
2025-10-11LIS2DH12TR现货特供亿配芯城！高性能三轴加速度传感器一站式采购 在当今的电子设备领域，运动传感技术已成为实现智能交互的关键。STMicroelectronics推出的LIS2DH12TR三轴加速度传感器，以其卓越的性能和广泛的适用性，成为市场热门选择。亿配芯城现提供LIS2DH12TR现货特供，为您的项目提供一站式采购解决方案，助力产品快速上市。 芯片性能参数 LIS2DH12TR是一款高性能、低功耗的MEMS加速度计，具有以下突出特性： - 测量范围可选：支持±2g、±4g、±8g、