标题：Rohm品牌RGSX5TS65EHRC11半导体IGBT TRENCH FLD 650V 114A TO247N的技术与方案介绍 Rohm品牌的RGSX5TS65EHRC11半导体IGBT，采用TRENCH FLD工艺技术，具有650V和114A的强大规格，适用于各种电源和电子设备。 技术特点： 1. 高频性能优越：RGSX5TS65EHRC11的栅极驱动频率可高达数百MHz，大大提高了系统的响应速度。 2. 热稳定性高：采用先进的TO247N封装形式，能够有效降低芯片表面温度，提高设备
标题：Rohm RGS80TSX2DGC11半导体IGBT TRENCH FLD 1200V 80A TO247N技术解析与方案介绍 Rohm RGS80TSX2DGC11半导体IGBT，采用先进的TRENCH FLD工艺技术，是一款适用于高电压大电流的先进产品。该器件具有高耐压、大电流输出能力、高效率、高可靠性等特点，适用于各种需要高效、节能、环保的电源和电机控制领域。 首先，Rohm RGS80TSX2DGC11的IGBT芯片采用沟槽型结构，能够有效降低导通电阻，提高器件的工作频率，使得该