首先要说明SiC 也可以做IGBT。

碳化硅（SiC）它是一种具有耐高压、耐高温、低损耗等优点的半导体材料，广泛应用于电力电子领域。SiC–IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极晶体管)是一种复合全控制电力电子设备，是电力电子技术领域应用最广泛的半导体开关设备。与传统的硅IGBT相比，SiC-IGBT具有更高的工作温度、更高的开关速度和更低的开关损耗，因此具有更高的效率和更小的体积。此外，SiC-IGBT还具有反向恢复电荷小、耐高压、耐高温、高频特性好、抗辐射能力强等优点。因此，SiC–IGBT在电力电子领域具有广阔的应用前景，特别适用于电动汽车、智能电网、新能源发电等高压、大功率、高频场合。

Sic材料的MOSFET存在一个问题，半导体，全球IGBT半导体采购平台即如果耐电压能力高，芯片会相应变厚，导通损耗会很高。因此，硅材料的MOSFET一般只能用作低压设备。

IGBT是为了提高硅基装置的耐压性而设计的。

SiC是一种宽禁带半导体材料，在高耐压下芯片仍然很薄。现在SiC的MOSFET可以达到6500V的耐压性，可以覆盖目前的IGBT耐压性。而且MOSFET的芯片结构比IGBT简单，所以目前没有必要使用体材料，在高耐压下芯片还是很薄的，现在IGBT浪费成本。

SiC MOSFET详情：碳化硅 CoolSiC™ MOSFET – Infineon Technologies

除非将来需要10kV级别的设备才能考虑SiCIGBT。

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