首先要说明SiC 也是可以做IGBT的。 碳化硅（SiC）是一种半导体材料，具有耐高压、耐高温、低损耗等优点，在电力电子领域应用广泛。SiC–IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极晶体管）是一种复合全控型电力电子器件，是电力电子技术领域中应用最广泛的一种半导体开关器件。相较于传统的硅IGBT，SiC-IGBT具有更高的工作温度、更高的开关速度和更低的开关损耗，因此具有更高的效率和更小的体积。此外，SiC-IGBT还具有反向恢复电荷小