据《台湾经济日报》报道，一些分析师认为，内存芯片NAND在今年下半年消费电子需求没有进一步恶化的前提下 Flash 预计价格将在今年第三季度停止下跌。 

台媒指出，NAND Flash 为闪存，应用范围比 DRAM 它在各种产品中得到了广泛的应用。全球通货膨胀影响消费终端产品的需求，大型内存制造商铠侠、美光、SK 在海力士等宣布减产后，三星终于在上个月底松口，本季度将主动降低产能。 

    TrendForce 今年的集邦咨询 1 月表示，2023年，由于大多数供应商已经开始减产 年第一季度 NAND内存芯片 Flash 价格季跌幅将收敛至 10%-15%，IGBT在原厂启动减产后，削价竞争也得到了控制。    NAND内存芯片 Flash 历经 2022 下半年价格大幅下跌，促使供应商积极减产，与内存芯片DRAM相比 价格弹性高，TrendForce 内存芯片NAND Flash 价格下行周期会比较 DRAM 提前终止。 

NAND Flash存储器是Flash存储器的一种，其内部采用非线性宏单元模式，为实现固态大容量内存提供了廉价有效的解决方案。Nand-flash存储器具有容量大、重写速度快等优点，适用于大量数据的存储。因此，它在行业中得到了越来越广泛的应用，如嵌入式产品，包括数码相机、MP3随身听记忆卡、小U盘等。 

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