Rohm Rohsner Group旗下Rohm品牌RGSX5TS65DHRC11是一款具有TRENCH FLD技术的650V 114A IGBT。该芯片以其高性能和高质量而受到广泛关注。

技术特点：

1. 采用了TRENCH FLD技术，该技术具有高饱和电流，低栅极电荷和快速响应时间等特点，从而提高了芯片的效率和速度。

2. 采用了TO247N封装，该封装具有高功率密度和易散热等特点，适合大功率应用。

3. 芯片的耐压为650V，电流为114A，适合于各种大功率电源和电机控制等应用。

应用方案：

1. 电源模块：可以将多个芯片集成到电源模块中，实现高效率，低成本和轻量化等特点。

2. 电机控制：可以将该芯片应用于电机控制器中，实现高效，快速响应和可靠的控制。

3. 工业控制：该芯片可以应用于各种工业控制设备中，半导体，全球IGBT半导体采购平台实现高效率，低能耗和智能化等特点。

此外，该芯片还具有高可靠性，低噪音等特点，适用于各种恶劣工作环境。同时，Rohm公司还提供了完善的售后服务和技术支持，为客户的研发和生产提供了强有力的保障。

总之，Rohm Rohsner Group的Rohm品牌RGSX5TS65DHRC11半导体IGBT芯片采用TRENCH FLD技术，具有高性能和高质量等特点，适用于各种大功率电源和电机控制等应用场景。同时，该公司还提供了完善的售后服务和技术支持，为客户提供了强有力的保障。

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