欢迎来到亿配芯城! | 免费注册
你的位置:IGBT半导体 > 话题标签 > RGSX5TS65DHRC11

RGSX5TS65DHRC11 相关话题

TOPIC

Rohm Rohsner Group旗下Rohm品牌RGSX5TS65DHRC11是一款具有TRENCH FLD技术的650V 114A IGBT。该芯片以其高性能和高质量而受到广泛关注。 技术特点: 1. 采用了TRENCH FLD技术,该技术具有高饱和电流,低栅极电荷和快速响应时间等特点,从而提高了芯片的效率和速度。 2. 采用了TO247N封装,该封装具有高功率密度和易散热等特点,适合大功率应用。 3. 芯片的耐压为650V,电流为114A,适合于各种大功率电源和电机控制等应用。 应用方
  • 共 1 页/1 条记录