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英飞凌Sic碳化硅可靠性介绍
- 发布日期：2024-02-07 08:41 点击次数：165
SiC MOSFET 由于材料独特的物理特性，与Si设备的衰减特性不同，原硅基IGBT的可靠性测试项目不能完全满足碳化硅设备的需求。因此，英飞凌开发了SiC MOSFET独特的可靠性测试标准，包括500kHz开关频率下的栅极应力测试（GSS），AC-湿度和温度循环试验-HTC）。
Sic碳化硅元件具有非常低的开关损耗和传导损耗，使其能够通过相对平坦的RDS(on)改善了对温度的依赖。
CoolSiC™ 基于沟槽结构的MOSFET有两个优点：由于结构方向，IGBTGOX缺陷较少；由于耐久性强，电场强度高（支持高压试验，提高缺陷筛选的有效性），GOX厚度增加，不影响性能（可选择高浓度的GOX，不影响RON）。
综上所述，英飞凌的Sic碳化硅元件可靠性高，值得信赖。
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