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英飞凌Sic碳化硅可靠性介绍
- 发布日期:2024-02-07 08:41 点击次数:136
SiC MOSFET 由于材料独特的物理特性,与Si设备的衰减特性不同,原硅基IGBT的可靠性测试项目不能完全满足碳化硅设备的需求。因此,英飞凌开发了SiC MOSFET独特的可靠性测试标准,包括500kHz开关频率下的栅极应力测试(GSS),AC-湿度和温度循环试验-HTC)。
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综上所述,英飞凌的Sic碳化硅元件可靠性高,值得信赖。
![](/uploads/tu/WWW.YIBEIIC.COM.png)
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