芯片产品
Infineon品牌IKW50N60H3FKSA1半导体IGBT TRENCH/FS 600V 100A TO247-3的技术和方案介绍
- 发布日期:2024-07-21 09:52 点击次数:86
标题:Infineon品牌IKW50N60H3FKSA1半导体IGBT TRENCH/FS 600V 100A TO247-3技术详解与方案推荐

一、技术概述
Infineon品牌IKW50N60H3FKSA1半导体IGBT,采用TRENCH/FS结构,具有600V 100A的强大规格,适用于各种高效率、高功率的电源系统。TO247-3封装使得该器件具有紧凑的尺寸和良好的热导热性能,适用于紧凑型电源模块和小型家电等领域。
二、技术特点
1. 高效能:该器件在保持高电流密度的前提下,具有优秀的热导热性能,能够有效降低模块温度,提高电源系统的效率。
2. 稳定性高:采用TRENCH/FS结构,使得器件在高温和高压下具有优秀的稳定性,减少了模块故障率,提高了系统的可靠性。
3. 易于集成:TO247-3封装使得该器件可以方便地集成到现有电源模块中,IGBT降低了生产成本,提高了市场竞争力。
三、应用方案
1. 电源模块:适用于各类高效率、高功率的电源模块,如服务器电源、LED照明电源等。
2. 小型家电:适用于各类小型家电,如吸尘器、电饭煲等,可提高其能效和可靠性。
3. 工业应用:适用于各类工业电源设备,如充电桩、变频器等,可提高其效率和可靠性。
四、总结
Infineon品牌IKW50N60H3FKSA1半导体IGBT,采用TRENCH/FS结构,具有600V 100A的强大规格,适用于各种高效率、高功率的电源系统。其高效能、稳定性高和易于集成的特点,使其在电源模块和小型家电等领域具有广泛的应用前景。

相关资讯
- onsemi品牌FGH75T65UPD-F085半导体IGBT 650V 150A 375W TO-247AB的技术和方案介绍2025-04-07
- onsemi品牌FGH4L40T120LQD半导体1200V 40A FSIII IGBT LOW VCESAT的技术和方案介绍2025-04-03
- onsemi品牌FGHL75T65LQDTL4半导体FS4 LOW VCESAT IGBT 650V 75A TO2的技术和方案介绍2025-04-02
- onsemi品牌FGHL75T65LQDT半导体FS4 LOW VCESAT IGBT 650V 75A TO2的技术和方案介绍2025-04-01
- onsemi品牌FGHL75T65MQDT半导体FS4 MID SPEED IGBT 650V 75A TO24的技术和方案介绍2025-03-31
- onsemi品牌FGHL75T65MQD半导体IGBT 650V 75A TO247的技术和方案介绍2025-03-30