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2024-12
IXYS品牌IXGH28N60B3D1半导体IGBT 600V 66A 190W TO247AD的技术和方案介绍
IXYS的IXGH28N60B3D1是一款优秀的半导体IGBT，适用于各种电子设备，如电源、电机控制和变频器等。该器件采用TO247AD封装，具有高稳定性和易用性。 技术特点： * 600V的额定电压和66A的通态电流，使其适用于中大功率应用； * 190W的额定功耗，保证了良好的高温性能； * 内部设计为三极结构，具有更高的效率和更低的热阻； * 频率响应可达30KHz，适用于高频应用； * 采用环保封装，无铅无焊锡，符合RoHS标准。 应用方案： * 在电源领域，IXGH28N60B3D1
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2024-11
IXYS品牌IXGH48N60A3半导体IGBT 600V 120A 300W TO247的技术和方案介绍
IXYS的IXGH48N60A3是一款高性能的半导体IGBT，适用于各种电子设备中。该型号的IGBT采用TO247封装，具有600V的额定电压，120A的额定电流，以及300W的额定功率。 该器件采用先进的工艺技术，具有高开关速度、低导通压降和温度等特点，因此在应用中可以提供更高的效率、更低的能耗和更长的使用寿命。其快速开关特性使其在需要频繁开关的电路中表现优异，而低导通压降使其在电源电路中具有更高的能效。 在方案应用方面，IXGH48N60A3适用于各种需要大功率、高效率的电子设备，如电源模
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2024-11
IXYS品牌IXBH32N300半导体IGBT 3000V 80A 400W TO247的技术和方案介绍
IXYS的IXBH32N300半导体IGBT是一款高性能的功率半导体器件，适用于各种电子设备中。该器件具有3000V的额定电压和80A的额定电流，能够满足大多数电子设备的功率需求。 该器件采用TO247封装形式，这种封装形式具有高功率容量和良好的热导热性能，能够确保器件在高温环境下稳定工作。此外，TO247封装形式还具有小型化和轻量化的特点，便于电子设备的组装和运输。 IXBH32N300的IGBT技术具有较高的开关速度和较低的损耗，因此在电子设备中能够实现较高的效率。同时，该器件还具有较高的
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2024-11
IXYS品牌IXBH2N250半导体IGBT 2500V 5A 32W TO247的技术和方案介绍
IXYS的IXBH2N250半导体IGBT是一种适用于各种电子设备的功率半导体器件。其技术参数包括2500V的绝缘耐压，5A的电流容量以及32W的功率输出。封装形式为TO247，方便了生产和安装。 首先，IXBH2N250采用了先进的栅极驱动技术，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，从而提高了设备的效率和可靠性。其次，它具有较高的浪涌保护功能，可以有效地防止过电压和过电流对设备的损害。此外，该器件还具有较长的使用寿命和较低的制造成本，使其在市场上具有较高的竞争力。 在应用方案方面，IXBH2N
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2024-11
IXYS品牌IXYN30N170CV1半导体1700V/85A HIGH VOLTAGE XPT IGBT的技术和方案介绍
标题：IXYS品牌IXYN30N170CV1半导体：1700V/85A HIGH VOLTAGE XPT IGBT的技术与方案介绍 随着科技的飞速发展，电子设备对高效、节能、环保的要求越来越高。作为电子设备的心脏，功率半导体器件的地位日益凸显。IXYS公司作为全球知名的半导体供应商，其IXYN30N170CV1 IGBT便是其中的翘楚。该器件采用XPT工艺制造，具有高电压、大电流、高频率、热稳定性好的特点，适用于各种高电压、大功率的电源设备。 技术解析：IXYN30N170CV1 IGBT具有
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2024-11
IXYS品牌IXBT2N250半导体IGBT 2500V 5A 32W TO268的技术和方案介绍
IXYS的IXBT2N250半导体IGBT是一款高性能的功率半导体器件，适用于各种电子设备中。该器件具有2500V的高压性能和5A的额定电流，能够满足大多数高电压大电流的应用场景。此外，该器件还具有32W的额定功率，能够满足大多数电子设备的功率需求。 该器件采用TO268封装形式，具有紧凑的结构和良好的热导热性能。这种封装形式能够有效地将器件内部的热量导出，避免因过热而导致的性能下降或损坏。此外，该器件还具有较高的开关速度和较低的损耗，能够提高电子设备的效率和可靠性。 IXYS的IXBT2N2
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2024-11
IXYS品牌IXYK140N90C3半导体IGBT 900V 310A 1630W TO264的技术和方案介绍
标题：IXYS品牌IXYK140N90C3半导体IGBT 900V 310A 1630W TO264技术与应用方案介绍 一、技术特点： IXYS品牌的IXYK140N90C3半导体IGBT是一款高性能的功率半导体器件，其特点是900V的电压等级和310A的额定电流，适用于各种大功率电子设备中。该器件采用了TO264封装形式，具有体积小、重量轻、散热效果好等优点。 二、应用方案： 1. 电动汽车：IXYS IGBT可以广泛应用于电动汽车的电机驱动系统中，能够提高电机的效率和可靠性，降低能耗。 2
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2024-11
IXYS品牌IXGT32N170-TRL半导体IGBT 1700V 75A 350W TO268的技术和方案介绍
一、技术特点 IXYS品牌的IXGT32N170-TRL半导体IGBT是一款高性能的功率半导体器件，具有以下技术特点： 1. 电压等级：该器件的额定电压为1700V，能够承受较高的电压。 2. 电流容量：该器件的额定电流为75A，能够承受较大的电流。 3. 封装形式：该器件采用TO268封装形式，具有较高的散热性能和可靠性。 二、应用方案 该器件适用于各种需要大功率输出的应用场景，如逆变器、电机驱动、电源转换等。以下是一些应用方案： 1. 电机驱动：该器件可以用于电机驱动系统中，实现高效、稳定
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2024-11
IXYS品牌IXYH50N65C3H1半导体IGBT 650V 130A 600W TO247的技术和方案介绍
IXYS的IXYH50N65C3H1是一种高品质的半导体IGBT，适用于各种电子设备，如电源转换器，电机控制和加热设备等。该型号具有650V的电压耐压，可实现高达600瓦的功率输出，其额定电流为130安培。 该芯片采用TO247封装，具有高效率和可靠性，同时保持了低热阻和低功耗。这种封装结构使得散热性能良好，从而提高了系统的稳定性。此外，该芯片还具有较高的开关速度，这有助于降低噪音和热量产生。 在应用方案方面，IXYS的IXYH50N65C3H1适用于工业电源和电子设备中。为了确保最佳性能，建
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2024-11
IXYS品牌IXXH110N65C4半导体IGBT 650V 234A 880W TO247AD的技术和方案介绍
标题：IXYS品牌IXXH110N65C4半导体IGBT 650V 234A 880W TO247AD的技术和方案介绍 IXYS的IXXH110N65C4是一款650V 234A 880W的IGBT，其TO247AD封装设计使其在工业和电源应用中具有广泛的应用前景。 技术特点： * IGBT是一种复合开关器件，结合了双极型晶体管和场效应晶体管的特性。它具有快速开关、低温漂、高耐压、高电流和低损耗等优点，适用于各种高频、高压和高速切换的电路。 * IXXH110N65C4的650V电压和234A
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2024-11
IXYS品牌IXYA20N120B4HV半导体IGBT 1200V 20A GENX4 XPT TO263D2的技术和方案介绍
一、技术特点 IXYA20N120B4HV是一款高性能的半导体IGBT，采用XPT TO263D2封装，具有以下技术特点： 1. 1200V的电压规格，适用于中高压应用场景； 2. 20A的额定电流，适用于需要大电流传输的场合； 3. 高频响应性能优异，适用于高频化应用； 4. 热阻低，能够快速散热，提高系统可靠性； 5. 集成度高，体积小，易于安装。 二、方案应用 该IGBT适用于各种工业电源、UPS电源、变频器、逆变器等中高压大功率电源系统。在电源系统中，IGBT作为开关管使用，通过控制其
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2024-11
IXYS品牌IXGH50N90B2D1半导体IGBT 900V 75A 400W TO247AD的技术和方案介绍
IXYS的IXGH50N90B2D1是一款高性能的半导体IGBT，其特点是900V、75A、400W。这种功率半导体器件在许多领域都有广泛的应用，包括电源转换、电机控制、加热设备和工业自动化等。 技术特点： * 高电压和大电流设计使其适用于各种大功率应用场景； * 快速开关和低导通压降，使其在各种动态负载条件下表现优异； * 集成MOSFET和晶体管，提供了更丰富的开关特性，提高了系统的可靠性和效率。 应用方案： * 在电源转换系统中，IXGH50N90B2D1可以用于开关电源，提高转换效率和