Rohm品牌RGC80TSX8RGC11半导体IGBT TRENCH FLD 1800V 80A TO247N的技术和方案介绍

RGC80TSX8RGC11是Rohm公司推出的高性能IGBT模块，采用TRENCH FLD工艺技术，具有高输入阻抗、低导通压降、高开关速度等优点。 技术特点： 1. 采用TRENCH FLD工艺技术，具有高输入阻抗、低导通压降、高开关速度等优点。 2. 1800V耐压，最大电流为80A，适合于大功率电源、变频器、电机控制等应用领域。 3. 采用TO247封装，具有小型化、散热性能好等特点，适合于高密度安装和系统集成。 应用方案： 1. 电源领域：RGC80TSX8RGC11可以用于电源转换器

Rohm品牌RGTVX6TS65DGC11半导体IGBT TRENCH FLD 650V 144A TO247N的技术和方案介绍

RGTVX6TS65DGC11是一款高性能的半导体IGBT，采用TO247N封装，具有650V 144A的额定值。该器件采用了Rohm独特的TRENCH FLD技术，具有更高的效率、更低的发热量和更长的寿命。 技术特点： * 650V额定电压，适合于大多数电力应用； * 144A的额定电流，适用于需要大电流传输的场合； * 采用TO247N封装，具有小型化和轻量化的特点； * 采用Rohm TRENCH FLD技术，具有更高的效率、更低的发热量和更长的寿命； * 良好的热阻抗设计，可有效降低芯

Rohm品牌RGS50TSX2HRC11半导体IGBT TRENCH FLD 1200V 50A TO247N的技术和方案介绍

Rohm RGS50TSX2HRC11是一款出色的1200V 50A TO247N封装规格的IGBT模块，采用了先进的TRENCH FLD工艺。该产品适用于各种高电压、大电流应用场合，如光伏、风电、轨道交通、不间断电源（UPS）和电动车充电桩等领域。 技术特点： 1. 采用TRENCH FLD工艺，具有更高的可靠性、更低的导通电阻和更短的开关时间等优点。 2. 采用了TO-247-3P无铅封装，符合RoHS认证和REACH法规要求，有利于环保和降低有害物质对人体的影响。 3. 采用了先进的散热

Rohm品牌RGT50NL65DGTL半导体IGBT TRENCH FIELD 650V 48A LPDS的技术和方案介绍

Rohm品牌RGT50NL65DGTL半导体IGBT TRENCH FIELD 650V 48A LPDS技术介绍 Rohm品牌的RGT50NL65DGTL半导体IGBT，采用TRENCH FIELD技术，具有卓越的性能和可靠性。该型号的IGBT具有650V和48A的额定值，适用于各种电源和电机控制应用。 RGT50NL65DGTL的LPDS结构是其一大特色，具有低阻抗、高功率密度和导热性能优良等优点。这种结构使得该IGBT的导热性能得到显著提升，有助于降低芯片温度和减少热损耗。此外，其高功率

Rohm品牌RGPZ10BM40FHTL半导体IGBT 460V 20A TO252的技术和方案介绍

Rohm品牌RGPZ10BM40FHTL半导体IGBT 460V 20A TO252技术与应用方案 Rohm Rohm品牌RGPZ10BM40FHTL半导体IGBT 460V 20A TO252是一种高效、节能的半导体元件，具有广泛的应用领域和市场需求。该产品采用TO252封装形式，具有较高的工作频率和良好的热稳定性，适用于各种电子设备中。 该产品的技术特点包括：采用先进的工艺技术，具有较高的导通压降和开关速度，能够降低功耗，提高系统效率；具有较好的热稳定性，能够有效抑制温度对元件性能的影响；

Rohm品牌RGS50TSX2DHRC11半导体IGBT TRENCH FLD 1200V 50A TO247N的技术和方案介绍

Rohm RGS50TSX2DHRC11是一款高性能的半导体IGBT，采用TRENCH FLD工艺技术，具有1200V 50A的规格，适用于各种电子设备，如电源、电机控制、变频器等。 该器件采用了独特的TRENCH FLD工艺技术，具有更高的耐压、更高的电流容量、更低的导通电阻和更快的开关速度等优点。同时，器件还采用了先进的封装技术，具有更高的热稳定性，能够适应各种恶劣工作环境。 在应用方案方面，Rohm RGS50TSX2DHRC11适用于中大功率电源领域，如服务器、通信、工业电源等。该器件

Rohm品牌RGS30TSX2DHRC11半导体IGBT TRENCH FLD 1200V 30A TO247N的技术和方案介绍

Rohm Rohs Rohm品牌RGS30TSX2DHRC11是一款采用TRENCH FLD工艺技术的1200V 30A IGBT模块，适用于各种工业电源和电子设备。该模块采用TO247-6封装形式，具有高效率和可靠性。 技术特点： 1. 采用TRENCH FLD工艺技术，具有高耐压、大电流、低损耗等优点。 2. 采用TO247-6封装形式，适用于紧凑型电源和电子设备。 3. 采用高效散热设计，具有高可靠性。 应用方案： 1. 适用于工业电源和电子设备，如UPS电源、变频器、伺服控制器等。 2

Rohm品牌RGT16BM65DTL半导体IGBT TRENCH FIELD 650V 16A TO252的技术和方案介绍

标题：Rohm品牌RGT16BM65DTL半导体IGBT TRENCH FIELD 650V 16A TO252技术详解与方案介绍 Rohm品牌的RGT16BM65DTL半导体IGBT，采用先进的TRENCH FIELD技术，具有650V和16A的额定电流，适用于各种电子设备，如电源转换器、电机控制、太阳能逆变器和其它需要高效、可靠和节能的领域。 RGT16BM65DTL的特性包括高输入阻抗、低导通压降、高开关速度和低损耗，使其在各种恶劣环境下都能保持稳定的性能。其工作温度范围宽，能在高温和低

Rohm品牌RGPR30BM40HRTL半导体IGBT 430V 30A IGNITION TO252的技术和方案介绍

标题：Rohm品牌RGPR30BM40HRTL半导体IGBT 430V 30A，IGNITION TO252技术方案介绍 Rohm品牌的RGPR30BM40HRTL半导体IGBT 430V 30A是一款高性能的功率半导体器件，采用TO-252封装，具有高耐压、大电流、低损耗等特点，适用于各种电子设备中。 首先，RGPR30BM40HRTL IGBT的优点在于其高耐压和大电流能力。其额定电压为430V，额定电流为30A，能够承受较大的功率负荷。其次，该器件具有优异的热稳定性，能够在高温、高功率的

Rohm品牌RGS80TSX2DHRC11半导体IGBT TRENCH FLD 1200V 80A TO247N的技术和方案介绍

Rohm RGS80TSX2DHRC11是一款出色的1200V 80A IGBT模块，采用先进的TRENCH FLD工艺，具有卓越的性能和可靠性。该模块采用TO247-2DHRC11封装，适用于各种高效率电源和电机驱动应用。 技术特点： * 1200V的电压规格使该模块适用于需要高电压领域； * 80A的电流规格使其能够处理大电流应用； * 采用TRENCH FLD工艺，具有更高的效率、更低的发热量和更长的寿命； * TO247-2DHRC11封装具有紧凑的尺寸和良好的热导性能，确保模块在高温

Renesas品牌RJP4005ANS-01#Q1半导体IGBTS, 400V, 150A, N-CHANNEL的技术和方案介绍

标题：RJP4005ANS-01#Q1：Renesas半导体IGBTS技术解析与方案介绍 RJP4005ANS-01#Q1是Renesas半导体公司的一款高性能N-CHANNEL MOSFET，其额定电压为400V，最大电流为150A。这款半导体器件以其出色的性能和可靠性，广泛应用于各种电子设备中，如电源管理、电机驱动、汽车电子等。 技术特点： 1. 额定电压高：在400V的电压下，器件能够承受较大的电应力，保证了设备的安全性。 2. 电流容量大：最大电流为150A，能够满足大多数应用场景的需

Renesas品牌RJP4003ASA-00#Q0半导体IGBTS, 400V, 150A, N-CHANNEL的技术和方案介绍

标题：RJP4003ASA-00#Q0半导体IGBTS技术详解与方案介绍 RJP4003ASA-00#Q0是Renesas品牌的一款高性能N-CHANNEL IGBT，具有400V、150A的规格，适用于各种高电压和大电流应用场景。这款半导体器件以其出色的性能和可靠性，成为工业、电力电子和可再生能源领域的理想选择。 技术特点： 1. 400V的设计使得该器件在高压应用中表现出色，能够承受较大的浪涌电流。 2. 150A的额定电流使其在需要大功率输出的场合具有极高的效率。 3. N-CHANNE