RGWX5TS65EHRC11 相关话题

标题：Rohm品牌RGWX5TS65EHRC11半导体IGBT TRENCH FLD 650V 132A TO247N的技术与方案介绍 Rohm品牌的RGWX5TS65EHRC11半导体IGBT，采用TRENCH FLD工艺技术，具有650V 132A的强大性能，适用于各种电子设备中。 该IGBT的特点在于其高耐压、大电流、低损耗的特点，使其在各种恶劣环境下都能保持稳定的性能。TO247N封装形式使得其具有更小的体积，更易于安装和集成。 在方案应用方面，RGWX5TS65EHRC11适用于电源