标题：onsemi安森美FGA20S125P-SN00336芯片IGBT 1250V 20A 250W TO-3PN技术与应用介绍 安森美（onsemi）是一家全球知名的半导体公司，其FGA20S125P-SN00336芯片是一款高性能的绝缘栅双极型晶体管（IGBT），具有1250V和20A的规格，适用于各种高电压、大电流的电子应用场合。该芯片采用TO-3PN封装，具有体积小、散热快、耐压高、电流大、开关速度快等优点，因此在工业控制、电源转换、电机驱动、变频器等应用领域具有广泛的应用前景。 技
标题：onsemi安森美FGA6530WDF芯片：IGBT 650V 60A 176W TO3PN的技术与应用详解 onsemi安森美FGA6530WDF芯片是一款适用于工业电源和电机驱动的IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) 650V 60A 176W TO3PN。这款高效、可靠的芯片在许多关键应用中发挥着重要作用。 技术特点： * IGBT是一种双极性功率半导体，具有较高的开关速度和功率密度，使其在需要高效能、低损耗的场合具有广泛应用价值。 *
基于安森美半导体的激光雷达LiDAR技术设计方案
2024-11-16激光雷达是一种测距技术。近年来，它已越来越多地用于高级驾驶辅助系统(ADAS)、手势识别、3D绘图等应用。特别是在汽车领域，随着传感器融合的趋势，激光雷达将成像、超声波和毫米波雷达相结合，相辅相成，为汽车提供全方位感知，为更安全的自动驾驶铺平道路。安森美半导体提供全面的传感器解决方案，在技术上遥遥领先。在市场领导者中，单光子雪崩二极管(SPAD)和硅光电倍增管(SiPM)传感器技术提供了完整的LiDAR解决方案，包括系统、传感器、输出和激光驱动器解决方案。安森美半导体完整的LiDAR方案激光雷
标题：onsemi安森美FGD3325G2-F085芯片IGBT 300V DPAK技术与应用介绍 onsemi安森美FGD3325G2-F085芯片IGBT 300V DPAK是一种高性能的绝缘栅双极晶体管（IGBT），广泛应用于各种电子设备中，如电源转换器、电机驱动器、逆变器等。 FGD3325G2-F085芯片IGBT 300V DPAK采用了先进的半导体技术，具有高输入阻抗、低导通压降和快速开关特性。这使得它在各种应用中具有出色的效率、可靠性以及较低的能耗。 在电源转换器中，FGD33
标题：onsemi安森美NGTB10N60R2DT4G芯片IGBT 600V 20A DPAK技术与应用详解 onsemi安森美是一家全球知名的半导体公司，其NGTB10N60R2DT4G芯片IGBT是一款高性能的半导体器件，具有600V的电压承受能力和20A的电流输出能力。这款芯片在许多电子设备中都有广泛的应用，如变频空调、电动车、UPS电源等。 首先，我们来了解一下这款芯片的特点。NGTB10N60R2DT4G芯片IGBT采用了先进的工艺制程，具有高耐压、大电流、高频率等特性，适用于各种高
标题：onsemi安森美NGTB75N60SWG芯片IGBT 75A 600V TO-247的技术和应用介绍 onsemi安森美是一家全球知名的半导体公司，其推出的NGTB75N60SWG芯片IGBT 75A 600V TO-247在电力电子领域具有广泛的应用前景。这款芯片采用了先进的工艺技术，具有高效、可靠、节能等特点，是工业自动化、电力转换设备、新能源汽车等领域不可或缺的关键器件。 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种新型的功率半导体器件，具有开关速度快、功耗低、耐压高等优点。NGTB75N
标题：onsemi安森美NGTB50N60S1WG芯片IGBT 50A 600V TO-247的技术和应用介绍 安森美（onsemi）的NGTB50N60S1WG芯片IGBT是一款高性能的50A 600V TO-247封装形式的绝缘栅双极晶体管（IGBT）。这款芯片在许多电子设备中有着广泛的应用，特别是在电力转换和电机驱动等领域。 技术特点： 1. 高电流密度：NGTB50N60S1WG芯片的电流密度高达50A/mm²，使得它能更有效地控制电流，减小了热阻，提高了效率。 2. 高压性能：这款芯
标题：onsemi安森美NGTB45N60S1WG芯片IGBT 45A 600V TO-247技术与应用介绍 安森美（onsemi）的NGTB45N60S1WG芯片IGBT是一种高性能的半导体器件，具有45A的电流容量和600V的额定电压。该芯片采用TO-247封装，具有优良的电气性能和可靠性。 技术特点： * 高速开关特性：NGTB45N60S1WG芯片IGBT具有快速开关特性，适用于各种高频应用场景，如逆变器、变频器、电机控制等。 * 高温性能：由于其高电流容量和低导通电阻，该芯片在高温环
标题：onsemi安森美NGTB20N120IHWG芯片IGBT 20A 1200V TO-247的技术和应用介绍 安森美（onsemi）是一家全球知名的半导体公司，其NGTB20N120IHWG芯片IGBT是一种重要的功率半导体器件。该器件具有20A的电流容量和1200V的电压规格，适用于各种高功率、高电压的电子设备。 IGBT（绝缘栅双极型晶体管）是一种新型的功率半导体器件，具有开关速度快、电流容量大、热稳定性好等优点。NGTB20N120IHWG芯片采用TO-247封装形式，具有较高的可