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标题:IXYS艾赛斯IXGH32N60AU1功率半导体IGBT技术与应用介绍 IXYS艾赛斯公司的IXGH32N60AU1功率半导体IGBT是一款具有出色性能的60A,600V IGBT模块,具有200W的输出功率,适用于各种工业和电源应用。 首先,让我们来了解一下IXGH32N60AU1 IGBT的基本技术。IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一种复合型功率半导体器件,它结合了晶体管和双极型功率器件的优点,具有较快的开关速度和较低的导通电压。这种器
标题:IXYS艾赛斯IXGH24N60AU1功率半导体IGBT技术与应用介绍 一、简介 IXYS艾赛斯IXGH24N60AU1是一款高品质的功率半导体IGBT,它采用600V 48A 150W TO247AD封装,适用于各种工业和电源应用。 二、技术特点 这款IGBT的主要技术特点包括高输入容量、低导通电阻、快速开关性能以及高可靠性。其输入容量高达48A,使得它能够承受高电流和高电压的冲击,适用于各种大电流应用场合。低导通电阻则意味着更高的转换效率,从而降低了系统的功耗。快速开关性能使得它在高