IXYS艾赛斯IXGH50N90B2D1功率半导体
2024-03-29标题：IXYS艾赛斯IXGH50N90B2D1功率半导体IGBT技术与应用介绍 IXYS艾赛斯IXGH50N90B2D1功率半导体IGBT是一款900V，75A，400W的TO247AD封装的IGBT。这款功率半导体器件以其卓越的性能和可靠性，广泛应用于各种电子设备中，包括电源转换、电机驱动、太阳能逆变器等。 首先，我们来了解一下IXGH50N90B2D1的特性。这款IGBT采用了IXYS艾赛斯独特的技术，具有高耐压、大电流、低损耗等特点。其工作温度范围宽，能在各种恶劣环境下稳定工作。此外，它
艾赛斯IXYH16N170C功率半导体IGBT 1
2024-03-28标题：IXYS艾赛斯IXYH16N170C功率半导体IGBT技术与应用介绍 IXYS艾赛斯公司生产的IXYH16N170C功率半导体IGBT是一款高性能的功率电子器件，具有1.7KV的绝缘电压和40A的额定电流。这款IGBT在工业、电力电子和可再生能源领域具有广泛的应用前景。 首先，我们来了解一下IXYS IXYH16N170C的特性。这款IGBT采用了TO247封装，具有高效率和良好的热稳定性。绝缘电压达到1.7KV，意味着它能够承受较高的电压，减少了电击和短路的风险。额定电流为40A，意味
艾赛斯IXXH30N60B3D1功率半导体IGBT 600V
2024-03-27标题：IXYS艾赛斯IXXH30N60B3D1功率半导体IGBT技术与应用介绍 IXYS艾赛斯公司生产的IXXH30N60B3D1功率半导体IGBT是一种重要的电子元件，其具有高效、节能、环保等特点，广泛应用于各种电子设备中。本文将介绍IXXH30N60B3D1的特性和应用方案。 一、技术特性 IXXH30N60B3D1功率半导体IGBT是一款具有高电压、大电流特性的产品。它能够在600V的电压下，实现60A的电流输出，其最大功率可以达到270W。此外，该产品还具有低导通电阻、高开关速度、高可
艾赛斯IXYP50N65C3功率半导体IGBT 650V 1
2024-03-26标题：IXYS艾赛斯IXYP50N65C3功率半导体IGBT技术与应用介绍 IXYS艾赛斯公司生产的IXYP50N65C3功率半导体IGBT是一款650V 130A 600W的功率器件，其广泛应用在各种电子设备中，如UPS电源、电源模块、变频器、电机驱动器、风能与太阳能逆变器等。 首先，我们来了解一下IXYS艾赛斯IXYP50N65C3的IGBT技术。这款器件采用TO-220金属封装，具有高热导率，能够快速有效地散发热量。此外，它还采用了先进的工艺技术，具有高饱和电压和低静态电流等特性，这使得
IXYS艾赛斯IXEL40N400功率半导体
2024-03-25随着电力电子技术的不断发展，功率半导体器件在各种工业应用中发挥着越来越重要的作用。IXYS艾赛斯公司作为一家专业从事功率半导体器件研发和生产的企业，其IXEL40N400功率半导体IGBT在市场上备受关注。本文将介绍IXEL40N400的特点、技术参数、应用方案以及优势。 一、产品概述 IXEL40N400是一种采用IXYS艾赛斯ISOPLUSI5技术的N沟道绝缘栅双极型晶体管（IGBT）。该器件具有高输入阻抗、低导通压降和快开关特性，适用于各种工业应用，如电机驱动、电源转换、变频器等。 二、
IXYS艾赛斯IXBH20N360HV功率半导体
2024-03-24标题：IXYS艾赛斯IXBH20N360HV功率半导体IGBT的技术和方案应用介绍 IXYS艾赛斯公司的IXBH20N360HV功率半导体IGBT是一种重要的电子元件，它在各种电子设备中发挥着至关重要的作用。本文将详细介绍IXBH20N360HV的技术和方案应用。 首先，让我们来了解一下IXBH20N360HV的技术特点。该器件采用IXYS公司特有的封装技术，确保了其优秀的散热性能和电气性能。它具有高开关速度、低导通电阻和低栅极电荷等优点，使得其在各种电源和电机控制系统中表现出色。此外，IXB
艾赛斯IXYT30N450HV功率半导体IGBT的技术和方案
2024-03-23标题：IXYS艾赛斯IXYT30N450HV功率半导体IGBT的技术和方案应用介绍 随着科技的飞速发展，电力电子技术在现代工业、交通、家电等领域的应用越来越广泛。IXYS艾赛斯公司的IXYT30N450HV功率半导体IGBT作为一种重要的电力电子器件，在各种设备中发挥着关键作用。本文将详细介绍IXYS IXYT30N450HV功率半导体IGBT的技术和方案应用。 首先，我们来了解一下IXYS IXYT30N450HV功率半导体IGBT的技术特点。IXYS IXYT30N450HV是一种绝缘栅双
艾赛斯IXYT25N250CHV功率半导体
2024-03-21标题：IXYS艾赛斯IXYT25N250CHV功率半导体IGBT技术与应用介绍 随着科技的飞速发展，电力电子技术在现代工业、交通、医疗等领域的应用越来越广泛。IXYS艾赛斯公司的IXYT25N250CHV功率半导体IGBT，作为一种重要的电力电子器件，其性能和应用领域备受关注。 IXYS艾赛斯IXYT25N250CHV功率半导体IGBT是一款具有高耐压、大电流特性的产品，其工作电压高达2500V，工作电流高达235A。这款IGBT采用了TO-268HV封装，具有优良的散热性能和机械性能。此外，
IGBT 1200V 240A 1500W TO264的技术
2024-03-20标题：IXYS艾赛斯IXYK120N120C3功率半导体IGBT技术与应用介绍 随着科技的飞速发展，功率半导体器件在各种电子设备中的应用越来越广泛。IXYS艾赛斯IXYK120N120C3是一款高性能的功率半导体IGBT，其特点为1200V、240A、1500W，TO264封装，具有高效、安全、节能的特点。 首先，我们来了解一下IXYS艾赛斯IXYK120N120C3的IGBT技术。这种技术采用先进的半导体工艺，如高温氧化铝绝缘层技术和金属栅极结构等，提高了器件的电气性能和热稳定性。同时，该器
IGBT 650V 370A 1150W PLUS247的技
2024-03-19标题：IXYS艾赛斯IXXX200N65B4功率半导体IGBT 650V 370A 1150W PLUS247的技术和方案应用介绍 随着科技的发展，功率半导体器件在各个领域的应用越来越广泛。IXYS艾赛斯IXXX200N65B4功率半导体IGBT，以其优秀的性能和稳定性，成为了工业、家电、电动汽车等多个领域的重要元器件。本文将详细介绍IXYS艾赛斯IXXX200N65B4功率半导体IGBT的技术和方案应用。 首先，我们来了解一下IXYS艾赛斯IXXX200N65B4功率半导体IGBT的基本参数