STGWA25H120DF2 相关话题

标题：意法半导体STGWA25H120DF2半导体IGBT HB 1200V 25A HS TO247-3技术解析与方案介绍 一、技术概述 意法半导体的STGWA25H120DF2是一款高性能的半导体IGBT，其工作电压高达1200V，电流容量为25A。该器件采用HS TO247-3封装，具有高耐压、大电流、低损耗等特点，适用于各种电力电子应用场合。 二、技术特点 1. 高耐压：工作电压高达1200V，适用于需要高功率处理的场合。 2. 大电流：电流容量为25A，适合于需要大电流传输的电路设计