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标题:意法半导体STGD6M65DF2半导体TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S的技术和方案介绍 意法半导体STGD6M65DF2是一款TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S的半导体产品,具有出色的性能和广泛的应用领域。该产品采用先进的工艺技术,具有高耐压、低损耗、高效率等优点,是光伏、风电、新能源汽车等领域的理想选择。 技术特点: 1. 高耐压能力:STGD6M65DF2的TRENCH GATE FIELD-STOP结构使其具有高达650
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