欢迎来到亿配芯城! | 免费注册
你的位置:IGBT半导体 > 话题标签 > RGT40TS65DGC13

RGT40TS65DGC13 相关话题

TOPIC

标题:Rohm RGT40TS65DGC13半导体IGBT TRNCH FIELD 650V 40A TO247G技术解析与方案介绍 Rohm RGT40TS65DGC13半导体IGBT TRNCH FIELD 650V 40A TO247G是一款高性能的半导体器件,适用于各种电子设备中。该器件具有高耐压、大电流、低损耗等特点,可广泛应用于逆变器、变频器、电机驱动等领域。 技术特点: 1. 器件采用TO247封装形式,具有高散热性能,能够保证器件在高温环境下稳定工作。 2. 采用TRNCH F
  • 共 1 页/1 条记录