RGS80TSX2GC11 相关话题

标题：Rohm RGS80TSX2GC11半导体IGBT TRENCH FLD 1200V 80A TO247N的技术与方案介绍 Rohm RGS80TSX2GC11半导体IGBT采用了创新的TRENCH FLD工艺，具有1200V 80A的强大规格，适用于各种工业和电源应用。这款IGBT的特点在于其高效率、低损耗、高可靠性以及出色的热稳定性，使其在各种高温、高负载的恶劣环境下仍能保持出色的性能。 技术特点： 1. 采用TRENCH FLD工艺，具有更高的饱和电压和更低的导通电阻，从而提高了效