RGS30TSX2HRC11 相关话题

标题：Rohm品牌RGS30TSX2HRC11半导体IGBT TRENCH FLD 1200V 30A TO247N技术与应用方案介绍 Rohm品牌的RGS30TSX2HRC11半导体IGBT，采用TRENCH FLD工艺，具有高耐压、大电流、低损耗等特性，适用于各种电力电子应用领域。该型号的IGBT芯片采用TO247N封装，尺寸小巧，便于集成和安装。 RGS30TSX2HRC11半导体IGBT的电气参数为：1200V、30A，具有出色的温度稳定性和可靠性。其开关速度非常快，有助于降低系统噪声