RGS30TSX2GC11 相关话题

标题：Rohm RGS30TSX2GC11半导体IGBT TRENCH FLD 1200V 30A TO247N技术解析与方案介绍 Rohm RGS30TSX2GC11半导体IGBT，采用先进的TRENCH FLD技术，具有1200V 30A的强大性能，适用于各种电子设备中。本文将深入解析该产品的技术特点，并探讨其应用方案。 一、技术特点： 1. 高压性能：Rohm RGS30TSX2GC11 IGBT具有1200V的电压承受能力，适用于需要高压工作的场合。 2. 高效能：采用TRENCH F