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MGP4N60E 相关话题

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标题:onsemi品牌MGP4N60E半导体IGBT,6A,600V,N-CHANNEL的技术和方案介绍 onsemi品牌的MGP4N60E半导体IGBT是一款高性能的N-CHANNEL MOSFET,适用于各种电源和电子设备。该器件具有6A,600V的额定值,使其在应用中具有出色的性能和可靠性。 技术特点: 1. 快速开关性能:MGP4N60E的开关速度非常快,这使得它在需要频繁切换的设备中非常适用。 2. 高效能:由于其高额定电流,该器件在保持低导通电阻的同时,还具有出色的效率。 3. 热
标题:onsemi安森美MGP4N60E芯片IGBT,6A,600V,N-CHANNEL的技术与应用介绍 onsemi安森美MGP4N60E芯片是一款高性能的绝缘栅双极晶体管(IGBT),适用于各种应用领域,包括电源转换、电机驱动、太阳能逆变器和车载充电等。该芯片具有6A,600V的规格,采用N-CHANNEL设计,具有出色的热性能和可靠性。 技术特点: MGP4N60E采用先进的N-CHANNEL技术,具有优异的热性能和开关速度。其内部结构包括一个高耐压的N-channel功率MOSFET和
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