IXYS的IXYH82N120C3是一款1200V、200A、1250W的IGBT，采用TO247AD封装，适用于各种高效率的电源和电机驱动系统。 技术特点： * 这款IGBT采用了先进的工艺技术，具有高输入阻抗、低导通压降、高开关速度等特点，使其在高温、高功率、高频等恶劣环境下仍能保持良好的性能。 * 其通态电压可调性好，适用于各种不同应用场景，如UPS、EPS、太阳能逆变器、机车牵引逆变器等。 * 封装采用小型化TO247AD，具有优良的热导率和热容量，提高了系统的可靠性和使用寿命。 应用
艾赛斯IXYH82N120C3功率半导体
2024-03-17标题：IXYS艾赛斯IXYH82N120C3功率半导体IGBT的技术和方案应用介绍 一、简介 IXYS艾赛斯IXYH82N120C3功率半导体IGBT是一款具有高耐压、大电流特性的功率电子器件。其工作电压高达1200V，最大电流可达200A，总功率输出为1250W。其封装形式为TO247AD，具有优良的散热性能和结构紧凑的特点。 二、技术特点 1. 高压性能：IXYS IXYH82N120C3 IGBT具有出色的高压性能，能够承受高达1200V的工作电压，为各种高电压应用提供了可能。 2. 大