一、技术特点 IXYS品牌的IXXX160N65B4半导体IGBT是一款高性能的功率半导体器件，具有以下技术特点： 1. 650V 650V的耐压等级，能够承受较大的电压和电流。 2. 310A的额定电流，能够满足大部分的功率应用需求。 3. 940W的功率输出，适用于各种大功率应用场景。 4. 采用先进的封装技术，具有较高的热稳定性和可靠性。 二、方案应用 该器件适用于各种大功率电源、电机驱动、变频器等应用场景。以下是一些常见的方案应用： 1. 电源模块：可将交流电源转换为直流电源，适用于各
IXYS艾赛斯IXX160N65B4功率半导体IGBT 65
2024-03-18标题：IXYS艾赛斯IXXX160N65B4功率半导体IGBT 650V 310A 940W PLUS247的技术和方案应用介绍 一、概述 IXYS艾赛斯IXXX160N65B4是一款高性能的功率半导体IGBT，其工作电压为650V，最大电流为310A，总功率为940W。这款IGBT以其出色的性能和稳定性，在工业、电力、通信和其他需要大功率转换的领域中广泛应用。 二、技术特点 IXYS艾赛斯IXXX160N65B4的IGBT采用了PLUS247技术，这是一种创新的模块化设计，使得IGBT在高温