欢迎来到亿配芯城! | 免费注册
你的位置:IGBT半导体 > 话题标签 > IKW40N65H5FKSA1

IKW40N65H5FKSA1 相关话题

TOPIC

标题:Infineon品牌IKW40N65H5FKSA1半导体IGBT 650V 74A TO247-3技术详解与方案介绍 一、技术详解 Infineon品牌IKW40N65H5FKSA1半导体IGBT是一款高性能的功率半导体器件,其工作电压为650V,最大电流为74A。该器件采用TO247-3封装,具有高耐压、大电流、低损耗等特点,适用于各种高电压、大电流的电源和电机驱动系统。 该器件采用先进的沟槽技术,具有高饱和电压和低导通电阻,从而提高了工作频率和效率。同时,其自屏蔽功能可以有效地减少噪
标题:Infineon(IR) IKW40N65H5FKSA1功率半导体IGBT的技术和方案应用介绍 一、简述产品 Infineon(IR)的IKW40N65H5FKSA1是一款高性能的功率半导体IGBT,其特点是650V和74A的规格,适用于各种高功率应用场合。该器件采用TO247-3封装,具有高效率和可靠性,同时易于集成和制造。 二、技术特点 IKW40N65H5FKSA1的IGBT具有以下技术特点: 1. 高效能:该器件采用先进的生产技术,能够在低发热量下实现高功率输出,大大提高了系统的
  • 共 1 页/2 条记录