IKW40N60H3FKSA1 相关话题

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标题：Infineon(IR) IKW40N60H3FKSA1功率半导体IGBT技术与应用介绍 Infineon(IR)的IKW40N60H3FKSA1功率半导体IGBT，以其卓越的性能和可靠性，在电力转换和电子设备中发挥着关键作用。这款IGBT的特点在于其采用TRENCH/FS 600V技术，实现了高效率、高功率密度和低热阻。此外，其高达80A的电流容量使其适用于各种功率应用。 首先，TRENCH/FS 600V技术为该器件提供了优异的电气性能。通过这种技术，器件能够在较小的封装中实现高电流