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IKU04N60R 相关话题

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标题:Infineon(IR) IKU04N60R功率半导体IGBT的技术和方案应用介绍 Infineon(IR)的IKU04N60R功率半导体IGBT是一种高效且可靠的N-Channel功率MOSFET器件,适用于各种工业和电源应用。该器件具有8A的额定电流和600V的额定电压,使其在许多高功率应用中表现出色。 首先,IKU04N60R IGBT的特点在于其高输入阻抗和快速开关特性。这些特性使得它在高频率和高压应用中表现出色,如电机驱动、UPS(不间断电源)和太阳能逆变器等。此外,其低导通电
标题:Infineon品牌IKU04N60R半导体IGBT:8A,600V,N-CHANNEL的技术与方案介绍 Infineon的IKU04N60R半导体IGBT是一款高性能的N-CHANNEL半导体器件,具有8A的额定电流和600V的额定电压。它以其卓越的性能和出色的可靠性在许多领域得到广泛应用。 技术特点: 1. IKU04N60R具有低导通电阻(RDS(on)),使得其工作温度更低,更高效。 2. 其栅极驱动电压低,使得电路设计更简单,同时增强了系统的稳定性。 3. 它具有优异的瞬态应力
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