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IKB30N65EH5ATMA1 相关话题

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标题:Infineon品牌IKB30N65EH5ATMA1半导体IGBT TRENCH/FS 650V 55A D2PAK技术解析及方案介绍 Infineon品牌的IKB30N65EH5ATMA1半导体IGBT,采用TRENCH/FS结构,具有650V 55A的出色性能,是一款广泛应用于电力电子领域的器件。该器件采用D2PAK封装,具有小型化、高可靠性和易用性等特点,为设计者提供了更多的选择空间。 技术特点: 1. 高效能:IKB30N65EH5ATMA1具有高饱和电压和低导通电阻,能够显著提
标题:Infineon(IR) IKB30N65EH5ATMA1功率半导体IGBT技术与应用介绍 Infineon(IR)的IKB30N65EH5ATMA1功率半导体IGBT是一款具有TRENCH/FS 650V 55A D2PAK封装规格的器件。该器件在许多领域中有着广泛的应用,特别是在电力转换系统中,如电源、电机驱动器和太阳能逆变器等。 IKB30N65EH5ATMA1 IGBT的主要技术特点包括其650V的额定电压,以及高达55A的额定电流。这些特性使得它在高效率的电力转换中扮演着重要的
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