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IHW20N135R5XKSA1 相关话题

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标题:Infineon品牌IHW20N135R5XKSA1半导体IGBT 1350V 40A TO247-3的技术与方案介绍 Infineon近期推出的IHW20N135R5XKSA1半导体IGBT,具有1350V、40A的强大性能,TO247-3封装使其在小型化应用中具有显著优势。 技术特点: 1. 高压性能:IHW20N135R5XKSA1的额定电压高达1350V,适用于需要高压大电流的场合。 2. 快速开关特性:该器件具有优秀的开关性能,可在高频应用中表现出色。 3. 热稳定性高:该器件
标题:Infineon(IR) IHW20N135R5XKSA1功率半导体IGBT技术与应用介绍 随着科技的发展,电力电子技术已经成为现代工业中不可或缺的一部分。在这其中,功率半导体,如Infineon(IR)的IHW20N135R5XKSA1 IGBT,起着至关重要的作用。这款IGBT具有出色的性能和可靠性,适用于各种工业应用,特别是在需要高效、安全和可靠电能转换的场合。 IHW20N135R5XKSA1 IGBT是一款具有1350V耐压和40A电流的功率半导体。其TO-247-3封装提供了
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