标题:Infineon品牌IGZ75N65H5XKSA1半导体IGBT TRENCH 650V 119A TO247-4的技术与方案介绍 Infineon公司推出的IGZ75N65H5XKSA1半导体IGBT,是一款具有高电流容量和低损耗特性的TRENCH 650V产品。其TO-247-4封装设计,提供了高功率密度和良好的热导热性能,使其在工业、电源和可再生能源领域具有广泛的应用前景。 技术特点: 1. 采用TRENCH技术,使得IGBT具有更高的开关速度和更低的损耗。 2. 650V额定电压
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