欢迎来到亿配芯城! | 免费注册
你的位置:IGBT半导体 > 话题标签 > IGB10N60TATMA1

IGB10N60TATMA1 相关话题

TOPIC

标题:Infineon品牌IGB10N60TATMA1半导体IGBT 600V 20A 110W TO263-3的技术和方案介绍 一、技术介绍 Infineon品牌IGB10N60TATMA1半导体IGBT是一款高性能的功率半导体器件,适用于各种电源和电机控制应用。该器件采用TO263-3封装,具有高耐压、大电流、低损耗等特点。其工作频率可达几千赫兹,适用于需要高频开关的场合。 二、方案应用 该器件适用于各类电源产品,如UPS电源、逆变器、变频器等。在电源产品中,IGBT作为开关管使用,可以有
标题:Infineon(IR) IGB10N60TATMA1功率半导体IGBT技术与应用介绍 一、简述产品 Infineon(IR)的IGB10N60TATMA1是一款高性能的功率半导体IGBT,其工作电压为600V,最大电流为20A,最大功率为110W。这款IGBT采用了TO263-3封装,适用于各种工业和电源应用。 二、技术特点 IGB10N60TATMA1具有以下技术特点: 1. 高电压设计,能够承受600V的工作电压,满足大多数工业和电源应用的需求。 2. 电流容量大,最大电流为20A
  • 共 1 页/2 条记录