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Harris品牌HGTP3N60B3半导体7A, 600V, UFS N-CHANNEL IGBT的技术和方案介绍
2024-05-27
标题:Harris品牌HGTP3N60B3半导体:7A,600V,UFS N-CHANNEL IGBT的技术与方案介绍 Harris品牌HGTP3N60B3半导体是一款高性能的N-CHANNEL IGBT,适用于各种电源和电子设备。其规格参数为7A,600V,UFS,具有出色的性能和稳定性。 技术特点: 1. 高压性能:该器件具有出色的高压性能,适用于需要高电压的设备。 2. 快速开关:该器件具有快速开关特性,可在极短的时间内导通和截止,有助于提高设备的效率和可靠性。 3. 温度稳定性:该器件
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