HGTG11N120CND 相关话题

标题：onsemi品牌HGTG11N120CND半导体IGBT NPT 1200V 43A TO247-3技术详解及方案介绍 onsemi品牌的HGTG11N120CND半导体IGBT NPT 1200V 43A TO247-3是一款高性能的功率半导体器件，适用于各种高电压、大电流的电源和电机控制应用。本文将详细介绍该器件的技术特点和方案应用。 技术特点： 1. 高效能：HGTG11N120CND IGBT具有出色的开关性能和热稳定性，能够实现高效能的电源转换。 2. 高压和大电流：该器件能够

标题：onsemi安森美HGTG11N120CND芯片IGBT NPT 1200V 43A TO247-3技术与应用介绍 onsemi安森美HGTG11N120CND芯片是一款高性能的绝缘栅双极型晶体管（IGBT），适用于各种工业应用和高电压大电流的电源系统。该芯片采用TO247-3封装，工作电压高达1200V，最大电流达43A，具有高输入阻抗、快速开关特性、低导通压降等优点。 技术特点： * 高输入阻抗：HGTG11N120CND芯片具有高输入阻抗，降低了功耗，提高了电源效率。 * 快速开关