欢迎来到亿配芯城!
立即登录
|
免费注册
客服电话:86-0755-82866643
|
Sandy
|
Sandy
BOM采购
DRV8813PWPR
AD623ANZ
A3P400-PQG208I
FT232RL-REEL
MAX232ESE
STM32L452RET6P
LT8610ABEMSE
AD7740KRMZ-REEL
AD8602ARZ-REEL7
ATTINY814-SSN
我的购物车
首页
芯片资讯
芯片产品
一站式BOM报价
代理品牌
全球芯片品牌大全
关于我们
联系我们
IGBT半导体
亿配芯城
请输入型号或参数
登录
/
注册
原装正品
现货闪送
一站采购
发票无忧
你的位置:
IGBT半导体
>
话题标签
> HGTD3N60C3
HGTD3N60C3 相关话题
TOPIC
Harris品牌HGTD3N60C3半导体6A, 600V, N-CHANNEL IGBT的技术和方案介绍
2024-05-23
标题:Harris品牌HGTD3N60C3半导体技术详解与方案介绍 Harris品牌HGTD3N60C3 N-CHANNEL IGBT是一款具有出色性能的半导体产品,适用于各种电源和电子设备。其核心特点包括6A,600V的额定值,以及高效且稳定的性能。 一、技术特性 HGTD3N60C3 IGBT采用了先进的工艺技术,具有高耐压、大电流和高转换效率等特点。其工作频率范围广泛,能够在高频和低频环境下保持稳定运行。此外,该器件具有优良的过载能力和热稳定性,可在恶劣环境下长时间工作。 二、应用方案
芯片产品
共 1 页/1 条记录
友情链接:
安森美半导体
德州仪器半导体
ADI亚德诺半导体
意法半导体
英飞凌半导体
微芯半导体
MCU单片机
FPGA嵌入式芯片
华冠半导体
赛灵思半导体
STM32单片机