欢迎来到亿配芯城!
立即登录
|
免费注册
客服电话:86-0755-82866643
|
Sandy
|
Sandy
BOM采购
DRV8813PWPR
AD623ANZ
A3P400-PQG208I
FT232RL-REEL
MAX232ESE
STM32L452RET6P
LT8610ABEMSE
AD7740KRMZ-REEL
AD8602ARZ-REEL7
ATTINY814-SSN
我的购物车
首页
芯片资讯
芯片产品
一站式BOM报价
代理品牌
全球芯片品牌大全
关于我们
联系我们
IGBT半导体
亿配芯城
请输入型号或参数
登录
/
注册
原装正品
现货闪送
一站采购
发票无忧
你的位置:
IGBT半导体
>
话题标签
> HGTD3N60B3
HGTD3N60B3 相关话题
TOPIC
Harris品牌HGTD3N60B3半导体7A, 600V, N-CHANNEL IGBT的技术和方案介绍
2024-05-24
标题:Harris品牌HGTD3N60B3半导体7A,600V,N-CHANNEL IGBT的技术和方案介绍 Harris品牌HGTD3N60B3是一款高性能的N-CHANNEL IGBT,其特点包括600V的电压规格,以及高达7A的电流容量。这款产品在电力转换和控制应用中具有广泛的应用前景。 首先,从技术角度看,HGTD3N60B3采用了先进的半导体工艺,具有高耐压、大电流和高效率等特点。其内部结构包括了一个N-DIME(绝缘栅双极型功率模块),具有高输入阻抗和低导通压降,使得能量损失更小,
芯片产品
共 1 页/1 条记录
友情链接:
安森美半导体
德州仪器半导体
ADI亚德诺半导体
意法半导体
英飞凌半导体
微芯半导体
MCU单片机
FPGA嵌入式芯片
华冠半导体
赛灵思半导体
STM32单片机