标题:onsemi品牌FGH75T65SQDT-F155半导体技术解析与方案介绍 onsemi品牌的FGH75T65SQDT-F155半导体是一款高性能的650V 75A TRENCH IGBT。该器件具有高效率、高耐压、大电流等特性,适用于各种电源和电动车充电桩等应用领域。 技术特点: 1. 该器件采用TRENCH技术,可实现高导通压降和快速开关性能,有效降低系统损耗。 2. 工作频率高,可实现更高的转换效率。 3. 内置的自举电路可实现栅极驱动电路的小型化,提高了系统的集成度。 4. 热阻
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