标题：AOS品牌AOD5B65M1半导体IGBT 650V 5A TO252：技术与应用方案介绍 AOS品牌AOD5B65M1半导体绝缘栅双极型晶体管（IGBT）是一种高性能的功率半导体器件，它具有高耐压、大电流、频率高、开关损耗小等优点，被广泛应用于各种电子设备和系统中。本文将详细介绍AOS品牌AOD5B65M1半导体IGBT的技术特点和方案应用。 技术特点： 1. 芯片结构：采用TO-252封装形式，内部芯片采用P型基板，两侧为N沟道IGBT模块，具有高耐压、大电流、低损耗等特点。 2.