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微芯半导体APT50GT120B2RG半导体IGBT 1200V 94A 625W TO247技术介绍及方案应用 微芯半导体APT50GT120B2RG半导体IGBT是一款高性能的1200V 94A 625W TO247封装的绝缘栅双极型晶体管。这款器件具有高输入阻抗，低导通压降和快速开关特性，特别适合应用于各种高电压，大电流的电源和电机驱动系统中。 技术特点： * 1200V耐压 * 94A电流 * 625W功率 * 高输入阻抗 * 低导通压降 * 快速开关特性 应用方案： * 电源系统：适

英飞凌的650V、1200V多种特性的IGBT7产品全面上市，将全面替代上一代产品。更好的特性和更大的电流规格，拓展了应用场景，频率范围和系统功率等级。 这些芯片是基于12英寸晶圆开发和生产的，生产基地在德国的德累斯顿和奥地利。 2022财年财报中宣布英飞凌德累斯顿的新厂投资，计划继续扩大其300毫米晶圆制造能力，以满足预期的模拟/混合信号和功率半导体加速增长的需求。该工厂计划总投资50亿欧元，是英飞凌历史上最大的单笔投资。因此，这也将增强英飞凌作为一家全球功率系统半导体领导企业的地位。

深圳市至信微电子有限公司（简称：至信微）在深圳威尼斯英迪格酒店成功举办了2024新品发布暨代理商大会。此次大会上，至信微发布了一系列行业领先的SiC芯片，其中包括1200V/7mΩ和750V/5mΩ两款产品。 至信微的SiC芯片以其卓越的性能和领先的指标，再次证明了公司在半导体领域的领先地位。尤其是1200V/7mΩ这款产品，其强大的性能指标和极具竞争力的成本优势，使得其在市场中独树一帜。 至信微副总经理王仁震在会上表示，SiC芯片的高良率是实现这一优势的关键因素。得益于公司先进的制程技术和严